sram
sram的全稱是static rnadom access memory，翻譯過來即靜態隨機儲存器。這裡的靜態是指這種儲存器只需要保持通電，裡面的資料就可以永遠保持。但是當斷點之後，裡面的資料仍然會丟失。由於sram的成本很高，所以像諸如cpu的快取記憶體，才會採用sram。
dram
dram全稱是dynamic random access memory，翻譯過來即動態隨機訪問儲存器，最為常見的系統記憶體。dram 只能將資料保持很短的時間。為了保持資料，dram使用電容儲存，所以必須隔一段時間重新整理(refresh)一次，如果儲存單元沒有被重新整理，儲存的資訊就會丟失。
flash
flash記憶體即flash memory，全名叫flash eeprom memory，又名快閃儲存器，是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所儲存的資料資訊)的儲存器，資料刪除不是以單個的位元組為單位而是以固定的區塊為單位，區塊大小一般為256kb到20mb。
快閃儲存器是電子可擦除唯讀儲存器(eeprom)的變種，eeprom與快閃儲存器不同的是，eeprom能在位元組水平上進行刪除和重寫而快閃儲存器是按區塊擦寫，這樣快閃儲存器就比eeprom的更新速度快，所以被稱為flash erase eeprom，或簡稱為flash memory。
由於其斷電時仍能儲存資料，快閃儲存器通常被用來儲存設定資訊，如在電腦的bios(基本輸入輸出程式)、pda(個人數字助理)、數位相機中儲存資料等。另一方面，快閃儲存器不像ram(隨機訪問儲存器)一樣以位元組為單位改寫資料，因此不能取代ram。
nor flash與nand flash
nor flash和nand flash是現在市場上兩種主要的非易失快閃儲存器技術。
intel於2023年首先開發出nor flash 技術，徹底改變了原先由eprom(erasable programmable read-only-memory電可程式設計序唯讀儲存器)和eeprom(電可擦唯讀儲存器electrically erasable programmable read - only memory)一統天下的局面。
緊接著2023年，東芝公司發表了nand flash 結構，強調降低每位元的成本，有更高的效能，並且像磁碟一樣可以通過介面輕鬆公升級。
nor flash 的特點是晶元內執行（xip ，execute in place），這樣應用程式可以直接在flash快閃儲存器內執行，不必再把**讀到系統ram中。nor 的傳輸效率很高，在1~4mb的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響到它的效能。
nand的結構能提供極高的單元密度，可以達到高儲存密度，並且寫入和擦除的速度也很快。應用nand的困難在於flash的管理和需要特殊的系統介面。通常讀取nor的速度比nand稍快一些，而nand的寫入速度比nor快很多，在設計中應該考慮這些情況。
ddr
ddr=double data rate雙倍速率同步動態隨機儲存器。嚴格的說ddr應該叫ddr sdram，人們習慣稱為ddr，其中，sdram 是synchronous dynamic random access memory的縮寫，即同步動態隨機訪問儲存器。而ddr sdram是double data rate sdram的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機儲存器的意思。
sdram與dram相比多了乙個同步介面，這個同步介面可以讓sdram與計算機系統匯流排進行同步。
ddr記憶體是在sdram記憶體基礎上發展而來的，仍然沿用sdram生產體系，因此對於記憶體廠商而言，只需對製造普通sdram的裝置稍加改進，即可實現ddr記憶體的生產，可有效的降低成本。
目前ddr儲存器已經發展到了ddr4，智慧型手機以及電腦上都有使用。
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