FLASH的兩種技術 NAND與NOR

2022-09-01 17:09:15 字數 1707 閱讀 3886

nor和nand是現在市場上兩種主要的非易失快閃儲存器技術。intel於2023年首先開發出nor flash技術,徹底改變了原先由eprom和eeprom一統天下的局面。緊接著,2023年,東芝公司發表了nand flash結構,強調降低每位元的成本,更高的效能,並且像磁碟一樣可以通過介面輕鬆公升級。

nand快閃儲存器是一種比硬碟驅動器更好的儲存方案,這在不超過4gb的低容量應用中表現得猶為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和效能更佳的產品,nand正被證明極具吸引力。

nornand特點

1、nor隨機訪問的特點可以使其晶元內執行(xip,execute in place),這樣應用程式可以直接在flash快閃儲存器內執行,不必再把**讀到系統ram中。在nor器件上執行**不需要任何的軟體支援,在nand器件上進行同樣操作時,通常需要驅動程式,也就是記憶體技術驅動程式(mtd),nand和nor器件在進行寫入和擦除操作時都需要mtd。

2、nor是傳統的大小與位址線的位數相關,即nor有多大就需要多少位位址線,優點是具有隨機訪問和對位元組執行寫(程式設計)操作的能力,缺點是儲存空間較大時需要的位址線較多;nand和nor快閃儲存器的主要區別是指令,復用位址和資料匯流排。對於16位的器件,nor快閃儲存器大約需要41個i/o引腳;相對而言,nand器件僅需24個引腳。nor flash佔據了容量為1~16mb快閃儲存器市場的大部分,而nand flash只是用在8~128mb的產品當中,這也說明nor主要應用在**儲存介質中,nand適合於資料儲存,nand在compactflash、secure digital、pc cards和mmc儲存卡市場上所佔份額最大。

3、nor的讀速度比nand快,nand的寫入和擦除速度比nor快很多。nand的好處是程式設計速度快、擦除時間短。nand支援速率超過5mbps的持續寫操作,其區塊擦除時間短至2ms,而nor是750ms。顯然,nand在某些方面具有絕對優勢。然而,它不太適合於直接隨機訪問。

4、壽命(耐用性)

在nand快閃儲存器中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次,而nor的擦寫次數是十萬次。nand儲存器除了具有10比1的塊擦除週期優勢,典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個nand儲存器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。

相同點

nand和nor晶元的共性首先表現在向晶元中寫資料必須先將晶元中對應的內容擦除,然後再寫入,也就是通常說的「先擦後寫」。只不過nor晶元只用擦寫乙個字,而nand需要擦寫整個塊。擦除就是充電,對每一位置高,寫入0xff,而寫入動作就是對特定位進行放電的操作了,這樣才能得到正確的資料。

nand具有更好系統擴充套件性

提高系統的可擴充套件性,因為沒有像其他裝置一樣用物理大小對應的完全數目的addr引腳,在晶元內部換了晶元的大小等的改動,對於用全部的位址addr的引腳,那麼就會引起這些引腳數目的增加,比如容量擴大一倍,位址空間/定址空間擴大一倍,所以,位址線數目/addr引腳數目,就要多加乙個,而對於統一用8個i/o的引腳的nand flash,由於對外提供的都是統一的8個引腳,內部的晶元大小的變化或者其他的變化,對於外部使用者(比如編寫nand flash驅動的人)來說,不需要關心,只是保證新的晶元,還是遵循同樣的介面,同樣的時序,同樣的命令,就可以了。這樣就提高了系統的擴充套件性。

根據二者的不同特點,大多數情況下快閃儲存器只用來儲存少量的**,這時nor快閃儲存器更適合一些。而nand則是高資料儲存密度的理想解決方案。

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