第九課 MOSFET放大訊號分析

2022-08-31 12:54:11 字數 697 閱讀 1528

1.mosfet模型

a. s-r模型:

1) 當vgs小於閾值時,源漏之間看做開路

2)當vgs大於等於閾值時,短路,或者看做是電阻

當vgs 在閾值兩側切換,漏源間電路會表現為: 開路--電阻---開路---電阻........

b. 但實際上,mosfet非常複雜,實驗中觀察漏源間電流。可以看到:

在a 2)情形下:如果vds 繼續增加,會發現ids 恆定,不再增加,達到飽和

第二種模型  scs模型:  開關電流源模型

但vds在超過某點後,ids飽和,表現為電流源:

當vds>vgs-vt  此時 ids= (k/2)(vgs-vt)2  (飽和方程)。 ids是由vgs確定的,不管vds再加的多麼大

2.特性曲線:每條曲線都是當vgs給定時的 ids-vgs 關係

三極區(線性區), 飽和區, 截止區

約束條件:

vds>vgs-vt  保證在飽和區

vgs>vt   保證開啟

滿足該約束條件時用scs模型,否則用sr模型

一般對於數位電路,用sr模型,因為vds在數位電路中一般都非常小,此時輸出就是在高-低-高-低間切換

3.分析:

目標:得到vo關於vi的方程

方法1 解析法: 列方程    1飽和方程

2 負載方程

方法2 **法:負載線和輸出的交叉點

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