1.mosfet模型
a. s-r模型:
1) 當vgs小於閾值時,源漏之間看做開路
2)當vgs大於等於閾值時,短路,或者看做是電阻
當vgs 在閾值兩側切換,漏源間電路會表現為: 開路--電阻---開路---電阻........
b. 但實際上,mosfet非常複雜,實驗中觀察漏源間電流。可以看到:
在a 2)情形下:如果vds 繼續增加,會發現ids 恆定,不再增加,達到飽和
第二種模型 scs模型: 開關電流源模型
但vds在超過某點後,ids飽和,表現為電流源:
當vds>vgs-vt 此時 ids= (k/2)(vgs-vt)2 (飽和方程)。 ids是由vgs確定的,不管vds再加的多麼大
2.特性曲線:每條曲線都是當vgs給定時的 ids-vgs 關係
三極區(線性區), 飽和區, 截止區
約束條件:
vds>vgs-vt 保證在飽和區
vgs>vt 保證開啟
滿足該約束條件時用scs模型,否則用sr模型
一般對於數位電路,用sr模型,因為vds在數位電路中一般都非常小,此時輸出就是在高-低-高-低間切換
3.分析:
目標:得到vo關於vi的方程
方法1 解析法: 列方程 1飽和方程
2 負載方程
方法2 **法:負載線和輸出的交叉點
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