1. v0+=v0
+ (vi-v
0) (1 - e
-t/rc
)電容真正儲存的是電荷，但對於乙個線性電容來說，它儲存的也是電壓,稱其為state。
狀態：**將來所需的所有輸入的彙總
電容的狀態就是電壓
vi 在零時刻以前的值無關緊要
電容電壓的未來值 是 電容初始狀態和未來時間輸入變化 的函式 vc(t) = f（vc(0), vi(t)）
電容所有t<0的狀態都包含在vc(0)中
2：只考慮兩種情況
當輸入在t>=0時 vi(t) 為常數，就得到了上面的方程。
分離出兩種形式：零狀態響應 vc.zsr = vi (1 - e -t/rc)
零輸入響應 vc.zir = v0 (e -t/rc)
電容的響應等於兩者之和
2.基本的儲存器抽象：
儲存單元的功能： 當儲存指令到達時，儲存單元會讀取當前輸入，並一直保持到下次儲存指令來到 （取樣）
這也是 dram的關鍵實現
dram 的基本單元就是 mosfet 作為開關電路，後面連線電容
假設：儲存脈衝寬度要大於時間常數rc
電容的值不是永久保持的，它會逐漸降低。因此如果電容中儲存1,它只會在有限的時間內保持1
因此dram需要不斷重新整理
改進方法：1.加緩衝
儲存器模型
IO流第十五課，總結
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