如果在開發中，希望個別資料掉電不丟失，那麼有幾種方法可以考慮，一種是通過i2c或者spi匯流排外接儲存，比如e2prom或flash，如果資料不大，第二種方便的方法就是操作片上flash了，要想操作片上flash，首先要搞清楚片上flash的儲存結構以及定址方式。
例如cc2541f256這個晶元，我們查一下技術手冊，介紹片上flash儲存組織結構的部分，擷取如下：
我們可以梳理如下：
1.內部flash由page組成，每乙個頁有2048-byte；
2.最小可擦除單元為乙個page；
3.最小可寫入單元為32bit（乙個word）；
4.定址位址大小為16-bit。
以上這些涵蓋了我們操作flash時必須的資訊。cc2541f256一共有256kb的片上flash空間，那麼一共有多少page？答案是256/2=128個page。在寫入flash之前，我們通常會先對要寫入的區域進行擦除操作，由於最小可擦除單元為乙個page，那麼我們只需要定義好要擦除的頁即可，例如，我們把乙個標誌位flag寫入第120個page（這裡注意核對下**的大小，不要寫到**儲存區即可，尤其是oad更要特別注意），這時可以直接呼叫hal層的hal_flash提供的操作api，halflasherase(0x78)。擦除完畢後，我們需要在相應的位址寫入flag的值，那麼如何確定位址？可以通過page進行換算，120*2048為總的byte數，最小可寫入單元大小為32-bit也就是4個byte，也就是說每個位址對應的是4個byte，所以120*2048/4=0xf000即第120頁的首位址。
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