主儲存器與CPU的連線

2022-08-25 10:24:18 字數 1746 閱讀 5362

半導體儲存器的讀寫時間一般在十幾至幾百毫微秒之間,其晶元整合度高,體積小,片內含有解碼器和暫存器等電路。常用的半導體儲存器晶元有多字一位片和多字多位片,如16m位容量的晶元可以有16m×1位和4m×4位等種類。

一、儲存容量的擴充套件

目前單片儲存晶元的容量總是有限的,它在字數或字長方面與實際儲存器的要求都有差距,所以需要在字向和位向方面進行擴充才能滿足實際儲存器的容量要求,通常採用位擴充套件、字擴充套件和字位擴充套件。

1) 位擴充套件

位擴充套件法指的是用若干片位數較少的儲存晶元構成具有給定字長的儲存器。

例如:用8片8192×1位的晶元構成8k×8位(8kb)的儲存器,如圖所示。

特點:1、片選               互連

2、位址線           互連

3、資料線            分別連線各自資料位

4、讀寫訊號線    互連

(2) 字擴充套件

字擴充套件法指的是增加儲存器中字的數量。

例如:用4片l6k×8位的儲存晶元構成容量為64k×8位的儲存器。

位址空間分配表 

字擴充套件構成的儲存器如下圖

(3) 字位擴充套件

字位擴充套件是指即增加儲存字的數量,又增加儲存字長。乙個儲存器的容量為m×n位,若使用l×k位儲存器晶元,則這個儲存器共需要

個儲存器晶元。

二、儲存器與cpu的連線

(1) 位址線的連線

儲存晶元容量不同,其位址線數也不同。通常總是將cpu位址線的低位與儲存晶元的位址線相連。cpu位址線的高位經解碼,作為片選訊號。

(2) 資料線的連線

cpu的8位資料線(d7~d0),與晶元的8位資料線相連。

(3) 讀/寫命令線的連線

cpu讀/寫命令線一般可直接與儲存晶元的讀/寫控制端相連,通常高電平為讀,低電平為寫。

(4) 片選線的連線

由於儲存器是由許多儲存晶元組成的,儲存晶元的片選控制線和cpu的高位位址有關,cpu的高位位址線經過解碼器解碼,和訪存控制訊號共同作用,產生儲存晶元的片選訊號。

訪存控制訊號(例如m/io#或mreq#),低電平有效時,訪問儲存器;若為高,訪問i/o。

例如圖是乙個小容量儲存器的連線圖。它由intel2114晶元經字位擴充套件而成,容量為4k×8位。intel2114晶元容量為1k×4位。先用2個intel2l14晶元位擴充套件成1k×8位的晶元組,再用4個這樣的晶元組字擴充套件成4k×8位的儲存器,共用了8個晶元。intel2114有10個位址線(a0~a9)、4位資料線(d0~d3)、乙個片選端、乙個讀寫控制端。cpu提供12位位址,其中低10位(a0~a9)連線各晶元的位址端,還有兩位位址(a11,a10)經解碼器,產生4個片選訊號,分別連線4組晶元。

儲存器與CPU的連線

din和 dout 引腳連起來,再和cpu的一根資料線相連。6 位址線的連線及儲存晶元片選訊號的產生 乙個儲存器系統通常需要若干個儲存晶元。為了能正確實現定址,一般的做法是,將cpu或系統的一部分位址線 通常是低位位址線,位數取決於儲存晶元的容量 連到所有儲存晶元,以進行片內定址 儲存晶元內均設有位...

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