易失
（1）訪問時間與實體地址無關（隨機訪問）
注：
注：（1）注意是按字編址，還是按位元組編址
（2）儲存字為由高到低，當首位元組儲存的是高位的時候是大端儲存，當首位元組儲存的是低位的時候是大小端儲存。
儲存器的寬頻：單位時間內從儲存體儲存的資訊量（位/秒）
注：（1）晶元容量 = 2位址線個數 × 資料線數；ps:10根位址線有210個單元，每根資料線 1 bit
（2）片選線：低電位有效cs、ce
（3）讀/寫控制線：we（低電平寫、高電平讀）、oe（允許讀）、we（允許寫）
（4）片選線不在儲存晶元內，晶元內只有位址線、資料線，片選線只是乙個引腳。作用：選中多位晶元，用於晶元的擴充套件
（1）線選法 16 × 8 bit 儲存晶元
解析上圖：只需要4根位址線通過位址解碼器來找這16個「房間」。缺點：「房間」要是多了，連線「房間」的線太多
（2）重合法 1k × 1 bit 儲存晶元
解析上圖：採用矩陣（線代）的思想，1k × 1 bit=1024 bit,1024 = 210 = 25 × 25 = 32 × 32；————>行位址只需5根位址線，通過32根線來連線「房間」。同理列位址也是如此（18年408）
這裡電路408考試過去11年沒有出過題目，自主命題看高校
（2）sram 晶元舉例（可能會考該晶元的儲存容量）
外部特點：
讀寫：we、片選線：cs、位址線、資料線
三管式單管式
讀入與原存資訊相反
讀出時資料線有電流，為「1」
寫入與輸入資訊相同
寫入時cs充電為「1」，放電為「0」
注：dram電容有再生（重新整理）的問題，優點：能耗較低
解析：（1）行選訊號ras，列選訊號cas，位址線為什麼7根？可以聯絡重合法
（2）行、列位址分開傳送
讀時序寫時序
行位址ras低電平有效
行位址ras低電平有效
寫允許we有效（高）
寫允許we有效（低）
列位址cas低電平有效
資料din有效
資料dout有效
列位址cas低電平有效
重新整理間隔：為了維持 dram 記憶單元的儲存資訊，每隔一定時間必須重新整理。一般選定的最大重新整理間隔為2ms或4ms甚至更大，也就是說，應在規定的時間內，將全部儲存體重新整理一遍。
注：重新整理和重寫（再生）是兩個完全不同的概念，切不可加以混淆。重寫是隨機的，某個儲存單元只有在破壞性讀出之後才需要重寫。而重新整理是定時的，即使許多記憶單元長期未被訪問，若不及時補充電荷的話，資訊也會丟失。重寫一般是按儲存單元進行的，而重新整理通常以儲存體矩陣中的一行為單位進行的。
（1）集中重新整理
以 128 × 128 矩陣為例（訪問週期為 0.5 μs）————>重新整理時不進行讀寫操作
小結：dram的重新整理要注意的問題：
dram（主存）
sram（快取）
儲存原理
電容觸發器
整合度高
低晶元引腳少多
功耗小大**低高
速度慢快重新整理
有無
第三章 儲存系統
儲存器的效能指標 儲存容量 訪問時間 儲存週期 頻寬等。儲存器的分類 按照儲存介質分類 半導體器件 磁性材料 光學方式 按照讀寫功能分類 唯讀而不能寫入的半導體儲存器 唯讀儲存器rom 既能讀出又能寫入的半導體儲存器 隨機儲存器ram 這裡的隨機是對於位址來說的 按照可儲存性分類 非永久記憶儲存器 ...
第三章 儲存器管理
記憶體管理 儲存管理的功能 記憶體空間的分配與 包括記憶體的分配和共享 位址轉換 記憶體空間的擴充 儲存保護 程式的裝入 靜態重定位 動態重定位 靜態鏈結 裝入時動態鏈結 執行時動態鏈結 記憶體保護 儲存鍵保護 上下限保護 靜態式連續分配管理方式 固定式分割槽儲存管理 記憶體均等劃分 可變式分割槽儲...
第三章 OSPF（一）
3.1 ospf的基本概念 ospf open shortest path first 開放式最短路徑優先協議是典型的鏈路狀態協議，支援vlsm 可變長子網掩碼 支援路由彙總等，另外區域 area 的引入使得ospf能夠支援更大規模的網路。ospf現在主要有兩個版本，乙個是面向ipv4的ospfv2...