發射極跟隨著輸入訊號(基極電位)進行工作。
訊號從發射機取出,而且沒有集電極負載電阻rc。
改變rl的值和改變re的值是一樣的。並且ve的電位只受vb的影響。
①確定電源
②選擇電晶體
③電晶體集電極損耗的計算
④決定發射級電阻re的方法
⑤偏置電路的設計
⑥去頂耦合電容c1~c4
①輸入阻抗:r1//r2
②輸出阻抗:0
③輸出負載加重情況:取大電流時(接上阻抗低的電阻)出現負側截至。原本接著re只能流過10ma最大電流,但是負載增大的情況下,等效電阻變小。
但是能流過re的電流最大值是固定的,所以流過負載的電流就無法增加了(在負半軸)。等效電路:
④推挽型射級跟隨器:改進上面負載加重的情況方案:但是這個方案會出現交越失真(三極體需要0.6v偏置電壓)
⑤改進後的推挽型射級跟隨器
在輸出狀態總有乙個電晶體是截至的電路稱為b類放大電路。
電晶體常工作的電路稱為a類放大電路。
①使用npn電晶體與負電源電路:注意電容極性
②pnp與電源負的射級跟隨器
③正負電源的射級跟隨器
基極偏置只用乙隻47kohm的電阻,基極是0v
④使用恆流負載的射級跟隨器:可以用在驅動比較重負載的情況,無訊號時功率損耗很大
⑤使用正負電源的推挽型射級跟跟隨器:用在驅動電機和各種傳動裝置電路上;不是面向處理直流訊號的
增強輸出的電路
發射極跟隨著輸入訊號 基極電位 進行工作。訊號從發射機取出,而且沒有集電極負載電阻rc。改變rl的值和改變re的值是一樣的。並且ve的電位只受vb的影響。確定電源 選擇電晶體 電晶體集電極損耗的計算 決定發射級電阻re的方法 偏置電路的設計 去頂耦合電容c1 c4 輸入阻抗 r1 r2 輸出阻抗 0...
STM32 4 20mA輸出電路
為工業場合開發的裝置通常情況下都會具有4 20ma輸出介面,在以往沒有dac模組的微控制器系統,需要外加一主片dac實現模擬量的控制,或者採用pwm來摸擬da,但也帶來溫漂和長期穩定性問題。在以stm32為中心的裝置中,使用它自帶的dac即可非常方便的實現4 20ma的輸出介面,具有精度高 穩定性好...
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