ram是「random access memory"的縮寫，被譯為隨機儲存器。所謂「隨機訪問」，指的是當儲存器中的訊息被讀取或寫入時，所需要的時間與這段資訊所在的位置無關。這個詞的由來是因為早期計算機曾使用磁鼓作為儲存器，磁鼓是順序讀寫裝置，而ram可隨讀取其內部任意位址的資料，時間都是相同的，因此得名。實際上現在ram已經專門用於指代作為計算機記憶體的易失性半導體儲存器。
根據ram的儲存機制，又分為動態隨機儲存器dram(dynamic ram)以及靜態隨機
儲存器sram(static ram)兩種。
1. dram
動態隨機儲存器dram的儲存單元以電容的電荷來
表示資料，有電荷代表1,無電荷代表0，見圖23-2。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，因此它需要定期重新整理操作，這就是「動態(dynamic)」一詞所形容的特性。重新整理操作會對電容進行檢查，若電量大於滿電量的1/2， 則認為其代表1，並把電容充滿電;若電量小於1/2,則認為其代表0，並把電容放電，藉此來保證資料的正確性。
2. sdram
根據dram的通訊方式，又分為同步和非同步兩種，這兩種方式根據通訊時是否需要使用時鐘訊號來區分。圖23-3是一種利用時鐘進行同步的通訊時序，它在時鐘的上公升沿表示有效資料。由於使用時鐘同步的通訊速度更快，所以同步dram使用更為廣泛，這種dram被稱為sdram(synchronous dram)。
為了進一步提高sdram的通訊速度，人們設計了ddr sdram儲存器(double datarate sdram)。它的儲存特性與sdram沒有區別，但sdram只在上公升沿表示有效資料，在1個時鐘週期內，只能表示1個有資料;而ddr sdram在時鐘的上公升沿及下降沿各表示乙個資料，也就是說在1個時鐘週期內可以表示2位資料，在時鐘頻率同樣的情況下，提高了一倍的速度。至於ddrii和ddrii，它們的通訊方式並沒有區別，主要是通訊同步時鐘的頻率提高了。
當前個人計算機常用的記憶體條是ddriii sdram儲存器，在-乙個記憶體條上包含多個ddriii sdram晶元。
4.sram
靜態隨機儲存器sram的儲存單元以鎖存器來儲存資料，見圖23-4。這種電路結構不需要定時重新整理充電，就能保持狀態(當然，如果斷電了，資料還是會丟失的)，所以這種儲存器被稱為「靜態(static)」ram。
5. dram與sram的應用場合
dram和sram的特性：
非易失性儲存器
非易失性儲存器種類非常多，半導體類的有rom和flash，而其它的則包括光碟、
軟盤及機械硬碟。.
rom是「read only memory」的縮寫，意為只能讀的儲存器。由於技術的發展，後來
設計出了可以方便寫入資料的rom，而這個「read only memory」的名稱被沿用下來了,
現在一-般用於指代非易失性半導體儲存器，包括後面介紹的flash儲存器，有些人也把
它歸到rom類裡邊。
1.mask rom
mask(掩膜)rom就是正宗的「readonlymemory"，儲存在它內部的資料是在出廠
時使用特殊工藝固化的，生產後就不可修改，其主要優勢是大批量生產時成本低。當前在
生產量大，資料不需要修改的場合，還有應用。
2.
otprom
otprom(one time programable rom)是一次可程式設計儲存器。這種儲存器出廠時內部
並沒有資料，使用者可以使用專用的程式設計器將自己的資料寫入，但只能寫入一次，被寫入過
後，它的內容也不可再修改。在nxp公司生產的控制器晶元中常使用otprom來儲存密
鑰或裝置獨有的mac位址等內容。
3.eprom
eprom(erasable programmable rom)是可重複擦寫的儲存器，它解決了prom晶元只
能寫入一次的問題。這種儲存器使用紫外線照射晶元內部擦除資料，擦除和寫入都要專用
的裝置。現在這種儲存器基本淘汰，被eeprom取代。
4.
eeprom
eeprom(electrically erasable programmable rom)是電可擦除儲存器。eeprom 可以
重複擦寫，它的擦除和寫入都是直接使用電路控制，不需要再使用外部裝置來擦寫。而且
可以按位元組為單位修改資料，無需整個晶元擦除。現在主要使用的rom晶元都是
eeprom。
flash儲存器又稱為快閃儲存器，它也是可重複擦寫的儲存器，部分書籍會把flash儲存器
稱為flash rom，但它的容量一般比eeprom大得多，且在擦除時，一般以多 個位元組為
單位。如有的flash儲存器以4096個位元組為扇區，最小的擦除單位為一乙個扇區。根據存
儲單元電路的不同，flash 儲存器又分為nor flash和nand flash，見表23-2。
nor與nand的共性是在資料寫入前都需要有擦除操作，而擦除操作一般是以「扇
分開導致的。
由於兩種flash儲存器特性的差異，nor flash一般應用在**儲存的場合，如嵌
入式控制器內部的程式儲存空間。而nand flash一般應用在大資料量儲存的場合，包
括sd卡、u盤以及固態硬碟等，都是nand flash型別的。
stm32之常用儲存器隨筆
易失性 掉電資料會丟失，讀寫速度較快 ram sram,dram 非易失性 掉電資料不會丟失，讀寫速度較慢 rom 光碟 軟盤 flash dram 的儲存單元 以電容的電荷來表示電壓，電容有充放電的特性，所以為dynamic sram 以鎖存器來儲存資料 dram和sram 訪問速度 慢 快 整合...
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