半導體
指導電率介於導體與絕緣體之間的物質，分為：
1、本徵半導體
2、雜質半導體（在半導體內摻入少量硼或磷）
半導體的載流子（導電率相關）
半導體的本徵激發形成：
1、自由電子
2、空穴
半導體的復合——激發的逆過程
本振激發受溫度影響（空穴對於自由電子形成的滯後？）
雜質半導體（導電率的改變）
兩種雜質半導體：
1、n型：negative semiconductor
在本徵半導體中摻入少量的磷元素（5價）外部所多出的電子即為多數載流子（多子），故稱之為n型；
注意：半導體（多為si）本身屬於較為穩定的元素，本徵激發並不劇烈，因此即便摻入少量雜質，其產生的多子也是原先的百萬倍
2、p型：positive semiconductor
在本徵半導體中摻入少量的硼元素（4價）外部所多出的空穴即為多數載流子（多子），故稱之為p型；
雜質半導體受溫度影響
多子受溫度影響小，少子受溫度影響大
2021/1/5 13:45
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N型半導體和P型半導體
以下內容是清華大學mooc的學習筆記。適當新增了個人理解。詳情請看 載流子本身分為電子和空穴。多數載流子指的是 容易移動的載流子 在p型半導體中，電子不夠多，有空穴。實際是電子移動，但是看起來就像空穴 帶正電荷的載流子動了一樣 在n型半導體中，電子太多，電子可以自由移動。n和p有點難記憶。因為是反的...
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