隨著半導體工藝技術的不斷進步,晶元工藝製程的不斷演進和成本的不斷降低,半導體晶元廣泛應用在物聯網、個人終端、汽車電子、可穿戴裝置、工業網際網路等各個領域。隨著晶元工藝的逐步公升級,效能問題已不在是晶元設計環節的主要瓶頸,如在很多手持裝置領域,低功耗設計成為了晶元設計中的關鍵核心問題。通過引入一種基於磁儲存晶元作為內部儲存器件的晶元架構,同時也用作晶元內部的快取記憶體,能夠有效降低晶元漏電流,有效地提公升了裝置使用時間,降低了整體的tco成本,大大提公升了產品競爭力。
在眾多新型非易失性儲存介質中,磁儲存晶元(stt-mram)能夠與cmos半導體工藝良好相容,利用較少的金屬層即可以做到儲存單元的高密度整合。同時由於其接近於靜態隨機儲存器(sram)的讀寫速度﹑極低的靜態和動態功耗、掉電不易失的特性、接近於無限的擦寫次數,高溫下長時間的資料保持能力以及抗強磁場輻射等特性,是作為企業級ssd控制器中資料快取和ftl表項儲存的天生優良介質。
當前眾多半導體設計大廠都將mram晶元作為下一代非易失性儲存介質的研發重點。除了台積電、三星和東芝一直在持續推進stt-mram 的研發之外,美國的 everspin mram公司早已發布了量產stt-mram晶元。
將嵌入式stt-mram應用在晶元架構設計中,充分利用其掉電不易失資料的特性,能夠對儲存部分進行完全的關電設計,從而顯著降低整個晶元的漏電流和靜態功耗。
幾個常用儲存引擎的特點
下面我們重點介紹幾種常用的儲存引擎並對比各個儲存引擎之間的區別和推薦使用方式。特點myisam bdbmemory innodb archive 儲存限制 沒有沒有 有64tb 沒有事務安全 支援支援 鎖機制表鎖 頁鎖表鎖 行鎖行鎖 b樹索引 支援支援 支援支援 雜湊索引 支援支援 全文索引 支援集...
攻克儲存 儲存晶元的寫遮蔽及擴充套件
首先，我們還是看乙個電路圖 這只是儲存晶元的讀資料時的訪問過程，在讀資料過程中，儲存晶元不需要知道arm在某個時刻訪問的是高位元組還是低位元組，只需要把指定位址空間處的16位資料送到資料匯流排即可。但是，對於寫過程，就不是這麼簡單了。顯然，對於向儲存晶元中寫資料的情況，儲存晶元是需要知道當前arm晶...
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