Flash儲存器的故障特徵

flash儲存器是一種基於浮柵技術的非揮發性半導體儲存器，一般有nor、nand、 dinor和and 等幾種型別。作為一類非易失性儲存器 ,flash儲存器具有自己獨特的優點:不需要特殊的外部高電壓即可進行電可擦除和重複程式設計,成本低及密度大,因而廣泛用於嵌入式系統中。

與ram 不同的是,flash儲存器除了具有一些典型的儲存器故障型別外,還會出現一些其它的故障型別，例如 nor型別的flash還會出現以下主要故障型別:

(1) 柵極程式設計干擾 (gpd)和柵極擦除干擾(ged)，對乙個儲存單元的程式設計操作引起同一字線上的另外單元發生錯誤的程式設計或擦除操作。

(2)漏極程式設計干擾和漏極擦除干擾:對乙個儲存單元的程式設計操作引起同一位線上的另外單元發生錯誤的程式設計或擦除操作。

(3)讀干擾:對乙個儲存單元的讀操作引起對該單元的錯誤程式設計。

(4) 過度擦除(oe):對儲存單元的過度擦除將會導致對該儲存單元的下一次程式設計不起作用,從而無法得到正確的操作結果。

上面幾種型別的干擾故障一般發生在flash 儲存器同一行或者同一列的單元之間,利用記憶體flash故障的理論模型6，可以選擇應用適合flash儲存器測試的march演算法,並且可以對這些演算法進行對比與評估7,例如一種match a演算法可表示為:

這種march a 測試演算法能夠覆蓋saf (stuck-at faults),dpd,ded,rd,oe和幾乎所有的 gpd,ged 故障。其演算法複雜度可以表示為11xp+4xr ,其中p和r分別表示一次程式設計和讀取操作,n表示儲存器的儲存容量(字數)。