1、 最能描述積體電路工藝技術水平的技術指標是（b）
a、晶元直徑 b、特徵尺寸 c、晶元面積 d、封裝
2、 相同工藝條件下，下列哪種邏輯的組合邏輯延遲最長（a）
a、2輸入異或門 b、2輸入與非門
c、2輸入或門 d、1輸入反相器
3、對於90nm製程晶元，合法的電壓，環境溫度範圍內，以下哪種情況內部訊號速度最快：（b）
a:溫度低，電壓低
b:溫度低，電壓高
c:溫度高，電壓低
d:溫度高，電壓高
4
、電容的作用包括（a,cef）
a、去耦
b、取樣保持
c、交流耦合
d、分壓
e、儲能
f、濾波
解析：電容的作用（1）隔直流（
2）旁路（去耦）（
3）耦合（
4）濾波（
5）溫度補償（
6）計時（
7）調諧（
8）整流（
9）儲能
5
、相同的size下，哪種
cell
漏電最小（
d）a、hvt b、
rvt c
、lvt d
、ulvt
6
、半導體工藝中，摻雜有哪幾種方式？
根據摻入的雜質不同，雜質半導體可以分為n型和
p型兩大類。
n型半導體中摻入的雜質為磷等五價元素，磷原子在取代原晶體結構中的原子並構成共價鍵時，多餘的第五個價電子很容易擺脫磷原子核的束縛而成為自由電子，於是半導體中的自由電子數目大量增加，自由電子成為多數載流子，空穴則成為少數載流子。
p型半導體中摻入的雜質為硼或其他三價元素，硼原子在取代原晶體結構中的原子並構成共價鍵時，將因缺少乙個價電子而形成乙個空穴，於是半導體中的空穴數目大量增加，空穴成為多數載流子，而自由電子則成為少數載流子。
7
、工藝分類和基礎電路的工藝流程？
ttl,cmos兩種比較流行，
ttl速度快功耗高，
cmos
速度慢功耗低；
積體電路的工藝流程：氧化，離子注入，光刻，腐蝕，擴散，澱積等。
8
、天線效應的概念和解決辦法？
IC 校招基礎例題整理
那裡給出了所有例題及解答。我在這裡就是對例題裡自己了解還不夠深入的問題做乙個整理，並給出我的解答，或者對原文進行一些摘抄。1.什麼是流水線冒險？這裡的流水線冒險特指mcu中的流水線可能出現的冒險，包括 資源衝突 資料依賴 控制依賴。更具體的解釋，請看我的這篇部落格的摘要下面的幾個章節。這裡僅給出每種...
聯發科 IC校招筆試題目
模板程式 加法器 module addr a,b,cin,count,sum input 2 0 a input 2 0 b input cin output count output 2 0 sum assign a b cin endmodule module 模組開始定義 input 輸入埠定...
校招基礎 速度與面積
1 速度和面積互換原則 所謂速度，是指整個工程穩定執行所能達到的最高時鐘頻率，他不僅和fpga內部各個暫存器的建立時間 保持時間以及 fpga 與外部介面的各種時序要求有關，而且還和兩個緊鄰的暫存器間的邏輯延時 走線延時有關。所謂面積，可通過乙個工程執行所消耗的觸發器 查詢表數量或者等效門數量來衡量...