許多教材對npn型電晶體的分析方法做了詳細的介紹，但對於pnp型的電晶體，只說分析方法同前者類似。怎麼個類似法，卻沒有詳細說明。下面就介紹一下pnp型**管的分析方法：
我們知道npn型電晶體有三個工作區（截止區，放大區，飽和區），同樣pnp型三極體也有三個工作區。下圖為兩類三極體的輸入輸出特性曲線：
圖1 npn型電晶體特性曲線
圖2 pnp型電晶體的特性曲線
通過觀察可以發現，npn型電晶體的輸入輸出特性曲線都在第一象限，而pnp型電晶體的在第三象限。說明pnp電晶體的電流和電壓都和npn型電晶體的相反，那麼在分析pnp型電晶體的工作狀態時，就可以將其電壓和電流取絕對值。之後的分析方法和npn管完全類似。下面舉例說明：
例：已知由 pnp 管組成的開關電路如圖3所示。若導通電壓ube = -0.1v，飽和時 uces= 0.1v, 試問：ui分別為0v、-2v和-5v時，管子的工作狀態，對應的uo各是多少伏？
圖3解：（1）當u1 = 0v時，電晶體處於截止狀態（分析時暫不考慮rb上的壓降）。
（2）當u1 = -2v,電晶體導通，電晶體可能工作在放大區，也可能工作在飽和區，此時假設電晶體工作在放大區。
| ib | = (|u1|-|ube|)/rb = 0.0475ma
|ic| = beta*ib = 4,75ma
rc兩端的壓降為：
urc = ic*rc = 4.75v
uo = urc - 10 = -5.25v
ubc = ub -uc = ub - uo = 5.15v
所以電晶體集電結反偏，假設成立，電晶體工作在放大區。
（3）當u1 = -5v,電晶體導通，同（2）電晶體也可能有兩種工作狀態，假設其工作在放大區。
| ib | = (|u1|-|ube|)/rb = 0.1125ma
|ic| = beta*|ib| = 11.25ma
urc = ic*rc =
11.25v
uo = urc - 10 = 1.25v
ubc = ub -uc = ub - uo = -1.15
電晶體集電結正偏，假設不成立，電晶體工作在飽和區。
因為uces = 0.1v
所以輸出電路可以等效為下圖
總結：對pnp管的電壓和電流值取絕對值，只是為了同npn管的分析方法對應。實際分析時，也可以不取絕對值，按照一般的分析方法。即先判斷電晶體的發射結是否導通，如果沒有導通，那麼電晶體肯定工作在截至區。如果發射結導通，電晶體可能工作在放大區，也可能工作在飽和區，需具體分析。當集電結反偏時，電晶體工作在放大區，反之，工作在飽和區。在分析時，如果不能確定晶體工作在那種狀態，可以先假設一種狀態（放大狀態或飽和狀態），然後根據已知的資料，通過計算集電結的偏轉狀態來確定其工作狀態。此外，在分析電晶體工作狀態時，輸入輸出特性曲線的分析非常重要，結合特性圖分析，將會事半功倍。
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