目前flash主要有兩種nor flash和nadn flash。nor flash的讀取和我們常見的sdram的讀取是一樣，使用者可以直接執行裝載在nor flash裡面的**，這樣可以減少sram的容量從而節約了成本。
nor和nand是現在市場上兩種主要的非易失快閃儲存器技術。intel於2023年首先開發出nor flash技術，徹底改變了原先由eprom和eeprom一統天下的局面。緊接著，2023年，東芝公司發表了nand flash結構，強調降低每位元的成本，更高的效能，並且象磁碟一樣可以通過介面輕鬆公升級。但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬體工程師分不清nor和nand快閃儲存器。象「flash儲存器」經常可以與相「nor儲存器」互換使用。許多業內人士也搞不清楚nand快閃儲存器技術相對於nor技術的優越之處，因為大多數情況下快閃儲存器只是用來儲存少量的**，這時nor快閃儲存器更適合一些。而nand則是高資料儲存密度的理想解決方案。
nor是現在市場上主要的非易失快閃儲存器技術。nor一般只用來儲存少量的**;nor主要應用在**儲存介質中。nor的特點是應用簡單、無需專門的介面電路、傳輸效率高，它是屬於晶元內執行（xip， execute in place），這樣應用程式可以直接在（nor型）flash快閃儲存器內執行，不必再把**讀到系統ram中。在1～4mb的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的效能。nor flash帶有sram介面，有足夠的位址引腳來定址，可以很容易地訪問其內部的每乙個位元組。nor flash佔據了容量為1～16mb快閃儲存器市場的大部分。
nand結構能提供極高的單元密度，可以達到高儲存密度，並且寫入和擦除的速度也很快。應用nand的困難在於flash的管理和需要特殊的系統介面。
nand flash啟動和nor flash啟動
1 nor flash啟動 cpu看到的0位址是在nor flash上 1 把bootloader燒寫在nor flash的0位址 2 上電時，從nor flash的0位址開始執行。3 比較大時需重定位，重定位時，把 從nor flash 複製到sdram上的鏈結位址 程式執行時應該位於的地方 2 ...
nand flash和nor flash啟動區別
1 介面區別 nor flash位址線和資料線分開，來了位址和控制訊號，資料就出來。nand flash位址線和資料線在一起，需要用程式來控制，才能出資料。通俗的說，就是光給位址不行，要先命令，再給位址，才能讀到nand的資料。而且都是在乙個匯流排完成的。結論是 arm無法從nand直接啟動。除非裝...
NANDFLASH 和NORFLASH的區別
nor和nand是現在市場上兩種主要的非易失快閃儲存器技術。intel於1988年首先開發出nor flash技術，徹底改變了原先由eprom和eeprom一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了nand flash結構，強調降低每位元的成本，更高的效能，並且象磁碟一樣可以通過介面輕鬆公升...