nor flash 生產廠商有 intel和st， nand flash廠商有hynix，micon，samsung，toshiba和fujitsu等。
2023年nand將佔據59%的快閃儲存器市場份額，nor的市場份額將下降到41%。而到2023年時，nand的市場份額將上公升到65%，nor的市場份額將進一步下滑到35%。
nand 主要應用：compacflash，secure digi-tal，smartmedia，sd，mmc，xd，pc card，usb sticks等。
nor的傳輸效率很高，在小容量時具有很高的成本效益，更加安全，不容易出現資料故障，因此，主要應用以**儲存為主，多與運算相關。
效能比較
flash快閃儲存器是非易失儲存器，可以對稱為塊的儲存器單元塊進行擦寫和再程式設計。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。nand器件執行擦除操作是十分簡單的，而nor則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。
由於擦除
nor器件時是以64～128kb的塊進行的，執行乙個寫入/擦除操作的時間為5s
，與此相反，
擦除nand器件是以8～32kb
的塊進行的，執行相同的操作最多隻需要4ms。
執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了nor和nadn之間的效能差距，統計表明，對於給定的一套寫入操作(尤其是更新小檔案時更多的擦除操作必須在基於nor的單元中進行。這樣，當選擇儲存解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。
● nor的讀速度比nand稍快一些。
● nand的寫入速度比nor快很多。
● nand的4ms擦除速度遠比nor的5s快。
● 大多數寫入操作需要先進行擦除操作。
● nand的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。
介面差別
nor flash帶有sram介面，有足夠的位址引腳來定址，可以很容易地訪問其內部的每乙個位元組。
nand器件使用複雜的i/o口來序列地訪問資料，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、位址和資料資訊。
通俗的說，就是光給位址不行，要先命令，再給位址，才能讀到nand的資料。而且都是在乙個匯流排完成的
nand讀和寫操作採用512位元組的塊，這一點有點像硬碟管理此類操作，很自然地，基於nand的儲存器就可以取代硬碟或其他塊裝置。
容量和成本
nand flash的單元尺寸幾乎是nor器件的一半，由於生產過程更為簡單，nand結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了**。
nor flash佔據了容量為1～16mb快閃儲存器市場的大部分，而nand flash只是用在8～128mb的產品當中，這也說明nor
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主要應用在**儲存介質中，nand適合於資料儲存，nand在compactflash、secure digital、pc cards和mmc儲存卡市場上所佔份額最大。
可靠性和耐用性
採用flahs介質時乙個需要重點考慮的問題是可靠性。對於需要擴充套件mtbf的系統來說，flash是非常合適的儲存方案。可以從壽命(耐
用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的可靠性。
壽命(耐用性)
在nand快閃儲存器中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而nor的擦寫次數是十萬次。nand儲存器除了具有10比1的塊擦除週期優勢，典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍，每個nand儲存器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。
位交換
所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見，nand發生的次數要比nor多)，乙個位元位會發生反轉或被報告反轉了。
一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在乙個關鍵檔案上，這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。
當然，如果這個位真的改變了，就必須採用錯誤探測/錯誤更正(edc/ecc)演算法。位反轉的問題更多見於nand快閃儲存器，nand的**商建議使用nand快閃儲存器的時候，同時使用edc/ecc演算法。
這個問題對於用nand儲存多**資訊時倒不是致命的。當然，如果用本地儲存裝置來儲存作業系統、配置檔案或其他敏感資訊時，必須使用edc/ecc系統以確保可靠性。
壞塊處理
nand器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發現成品率太低，代價太高，根本不划算。
nand器件需要對介質進行初始化掃瞄以發現壞塊，並將壞塊標記為不可用。在已製成的器件中，如果通過可靠的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。
易於使用
可以非常直接地使用基於nor的快閃儲存器，可以像其他儲存器那樣連線，並可以在上面直接執行**。
由於需要i/o介面，nand要複雜得多。各種nand器件的訪問方法因廠家而異。
在使用nand器件時，必須先寫入驅動程式，才能繼續執行其他操作。向nand器件寫入資訊需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在nand器件上自始至終都必須進行虛擬對映。
軟體支援
當討論軟體支援的時候，應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用於磁碟**和快閃儲存器管理演算法的軟體，包括效能優化。
在nor器件上執行**不需要任何的軟體支援，在nand器件上進行同樣操作時，通常需要驅動程式，也就是記憶體技術驅動程式(mtd)，nand和nor器件在進行寫入和擦除操作時都需要mtd。
使用nor器件時所需要的mtd要相對少一些，許多廠商都提供用於nor器件的更高階軟體，這其中包括m-system
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arm的nor flash與nand flash啟動過程區別
b，s3c2440啟動過程詳解
1:位址空間的分配
2:開發板上一般都用sdram做記憶體flash（nor、nand）來當做rom。其中nand flash沒有位址線，一次至少要讀一頁(512b).其他兩個有位址線
3:nandflash不用來執行**，只用來儲存**，norflash，sdram可以直接執行**）
4:s3c2440總共有8個記憶體banks
6個記憶體bank可以當作rom或者sram來使用
留下的2個bank除了當作rom 或者sram，還可以用sdram(各種記憶體的讀寫方式不一樣)
7個bank的起始位址是固定的
還有乙個靈活的bank的記憶體位址，並且bank大小也可以改變
5:s3c2440支援兩種啟動模式：nand和非nand（這裡是nor flash）。
具體採用的方式取決於om0、om1兩個引腳
om[1:0所決定的啟動方式
om[1：0]=00時，處理器從nand flash啟動
om[1：0]=01時，處理器從16位寬度的rom啟動
om[1：0]=10時，處理器從32位寬度的rom啟動。
om[1：0]=11時，處理器從test mode啟動。
當從nand啟動時
cpu會自動從nand flash中讀取前4kb的資料放置在片內sram裡（s3c2440是soc），同時把這段片內sram對映到ngcs0片選的空間（即0x00000000）。cpu是從0x00000000開始執行，也就是nand flash裡的前4kb內容。因為nand flash連位址線都沒有，不能直接把nand對映到0x00000000，只好使用片內sram做乙個載體。通過這個載體把nandflash中大**複製到ram(一般是sdram)中去執行
當從非nand flash啟動時
nor flash被對映到0x00000000位址（就是ngcs0，這裡就不需要片內sram來輔助了，所以片內sram的起始位址還是0x40000000）. 然後cpu從0x00000000開始執行（也就是在no***lsh中執行）。
nand flash啟動和nor flash啟動
1 nor flash啟動 cpu看到的0位址是在nor flash上 1 把bootloader燒寫在nor flash的0位址 2 上電時，從nor flash的0位址開始執行。3 比較大時需重定位，重定位時，把 從nor flash 複製到sdram上的鏈結位址 程式執行時應該位於的地方 2 ...
nand flash和nor flash啟動區別
1 介面區別 nor flash位址線和資料線分開，來了位址和控制訊號，資料就出來。nand flash位址線和資料線在一起，需要用程式來控制，才能出資料。通俗的說，就是光給位址不行，要先命令，再給位址，才能讀到nand的資料。而且都是在乙個匯流排完成的。結論是 arm無法從nand直接啟動。除非裝...
NANDFLASH 和NORFLASH的區別
nor和nand是現在市場上兩種主要的非易失快閃儲存器技術。intel於1988年首先開發出nor flash技術，徹底改變了原先由eprom和eeprom一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了nand flash結構，強調降低每位元的成本，更高的效能，並且象磁碟一樣可以通過介面輕鬆公升...