nor和nand是現在市場上兩種主要的非易失快閃儲存器技術。
intel於2023年首先開發出nor flash技術，徹底改變了原先由eprom和eeprom一統天下的局面。
東芝於2023年開發出nand flash結構，強調降低每位元的成本，更高的效能，並且象磁碟一樣可以通過介面輕鬆公升級。
大多數情況下快閃儲存器只是用來儲存少量的**，這時nor快閃儲存器更適合一些,而nand則是高資料儲存密度的理想解決方案。
nor flash 的特點是晶元內執行（xip, execute in place），使用者可以直接執行裝載在 nor flash 裡面的**，這樣可以減少 sram 的容量從而節約了成本。
nor的傳輸效率很高，在1～4mb的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除 速度大大影響了它的效能。
nand flash 沒有採取記憶體的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的， 通常是一次讀取 512 個位元組，採用這種技術的 flash 比較廉價。
nand flash 內部採用非線性巨集單元模式，為固態大容量記憶體的實現提供了廉價有效的解決方案。
使用者不能直接執行 nand flash 上的**，因此好多使用 nand flash 的開發板除了使用 nand flah 以外，還作上了 一塊小的 nor flash 來執行啟動**。
nand-flash儲存器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用於大量資料的儲存，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數位相機、***隨身聽記憶卡、體積小巧的u盤等。
nand flash啟動和nor flash啟動
1 nor flash啟動 cpu看到的0位址是在nor flash上 1 把bootloader燒寫在nor flash的0位址 2 上電時，從nor flash的0位址開始執行。3 比較大時需重定位，重定位時，把 從nor flash 複製到sdram上的鏈結位址 程式執行時應該位於的地方 2 ...
nand flash和nor flash啟動區別
1 介面區別 nor flash位址線和資料線分開，來了位址和控制訊號，資料就出來。nand flash位址線和資料線在一起，需要用程式來控制，才能出資料。通俗的說，就是光給位址不行，要先命令，再給位址，才能讀到nand的資料。而且都是在乙個匯流排完成的。結論是 arm無法從nand直接啟動。除非裝...
NANDFLASH 和NORFLASH的區別
nor和nand是現在市場上兩種主要的非易失快閃儲存器技術。intel於1988年首先開發出nor flash技術，徹底改變了原先由eprom和eeprom一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了nand flash結構，強調降低每位元的成本，更高的效能，並且象磁碟一樣可以通過介面輕鬆公升...