cas＃ latency：行位址控制器延遲時間，簡稱cl。表示從已經定址的行，到達輸出快取器的資料所需要的時鐘迴圈數。對記憶體來說，這是最重要的乙個引數，這個值越小，系統讀取記憶體資料的速度就越快，反之越慢。
tras#：列動態時間，也稱tras，表示乙個記憶體晶元上兩個不同的列逐一定址時所造成的延遲，以時鐘週期數為單位，通常是最後也是最大的乙個數字。
cl-trcd-trp時序
1、cl（cas latency）：「記憶體讀寫操作前列位址控制器的潛伏時間」（可能的選項：1.5/2/2.5/3）
bios中可能的其他描述為：tcl、cas latency time、cas timing delay。這個引數很重要，記憶體條上一般都有這個引數標記。在bios設定中ddr記憶體的cas引數選項通常有「1.5」、「2」、「2.5」、「3」 幾種選擇，sdram則只有「2」、「3」兩個選項。較低的cas週期能減少記憶體的潛伏週期以提高記憶體的工作效率。因此只要能夠穩定執行作業系統，我們應當盡量把cas引數調低。反過來，如果記憶體執行不穩定，可以將此引數設大，以提高記憶體穩定性。
2、trcd（ras-to-cas delay）「行定址至列定址延遲時間」（可能的選項：2/3/4/5）
bios中的可能其他描述： trcd、ras to cas delay、active to cmd等。數值越小，效能越好。
3、trp(ras precharge time): 「記憶體行位址控制器預充電時間」（可能的選項：2/3/4）
bios中的可能其他描述：trp、ras precharge、precharge to active。預充電引數越小則記憶體讀寫速度就越快。
4.tras(ras active time): 「記憶體行有效至預充電的最短週期」（可能的選項：1……5/6/7……15）
bios中的可能其他描述：tras、active to precharge delay、row active time、precharge wait state、row active delay、row precharge delay、ras active time等
記憶體對齊含義
對於記憶體對齊問題，主要存在於struct和union等復合結構在記憶體中的分布情況，許多實際的計算機系統對基本型別資料在記憶體中存放的位置有限制，它們要求這些資料的首位址的值是某個數m 通常是4或8 對於記憶體對齊，主要是為了提高程式的效能，資料結構，特別是棧，應盡可能在自然邊界上對齊，經過對齊後...
認識記憶體顆粒編號含義
認識記憶體的效能引數一般方法是讀取spd晶元中的資訊，但由於spd資訊需要在開機狀態下檢視，而且有一些不法商家也會刷寫spd晶元中的資訊來欺騙消費者。因此，認識記憶體更好的辦法是識別記憶體顆粒的編號，當然不能是被打磨過的。通過檢視顆粒編號的含義，可以更好地識別記憶體是否為 下面我們以市面上最常見的h...
記憶體分割槽及割斷含義
乙個程序在記憶體中會佔5個區域 1.程式 區 存放程式 2.常量區 一般定義字串時，內容存放在常量區 如 char tmp hello hello存放在常量區 3.全域性 靜態 儲存區 全域性變數，靜態 static 變數存放在全域性儲存區，裡面的資料會一直儲存到被新的資料覆蓋或者程序退出。程式 區...