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nand快閃儲存器：ssd儲存資料的部分，以非易失性，即斷電後仍能儲存資料的記憶體塊。
ddr記憶體：少量的易失性記憶體（需要電源來維護資料）用於快取未來訪問的資訊。
主控晶元：連線nand快閃儲存器與計算機之間的主要電子元件。
nand快閃儲存器是比傳統硬碟驅動器更好的儲存裝置，它使用的是非易失性儲存技術，即斷電後仍能儲存資料的儲存裝置。
nand快閃儲存器由多個以（bit）為單位的單元構成，這些位通過電荷被開啟或關閉，如何組織這些開關單元來儲存在ssd上的資料，也決定了nand快閃儲存器的命名，比如單層單元（slc）快閃儲存器在每個儲存單元中包含1個位。在效能、體積的優勢基礎上，nand快閃儲存器目前發展的方向便是降低每位元儲存成本、提高儲存容量，因此就有了後來的四層單元（qlc），每個儲存單元有4個bits的格式。但是，並非單元層數越多就越好，不同層級的單元nand快閃儲存器有不同的特點
slc:single level cell
單層單元快閃儲存器俗稱slc，這種型別的快閃儲存器在讀寫資料時具有最為精確，並且還具有持續最長的資料讀寫壽命的優點。
slc擦寫壽命約在9萬到10萬次之間。這種型別的快閃儲存器由於其使用壽命，準確性和綜合性能，在企業市場上十分受眾。但由於儲存成本高、儲存容量相對較小，在家用市場則不太受青睞。
優點：
缺點：
建議使用物件：需要大量讀取/寫入週期的工業級負載，例如伺服器。
mlc:multi level cell
多層單元俗稱mlc，它的命名**於它在slc的1位/單元的基礎上，變成了2位/單元。這樣做的一大優勢在於大大降低了大容量儲存快閃儲存器的成本，因為快閃儲存器作為ssd的核心，其生產成本通常都會反映在ssd的**上並最終轉嫁到消費者的身上。
對於消費類ssd，憑藉相對合理的容量/**比，mlc快閃儲存器是家庭計算機的首選，雖然擦寫壽命只有約1萬次，但對於家用級別來說已經十分足夠。
優點：
缺點：不如slc快閃儲存器那般耐用可靠。
建議使用物件：較頻繁地使用計算機的使用者或遊戲玩家。
tlc快閃儲存器是快閃儲存器生產中最低廉的規格，其儲存達到了3位/單元，雖然高儲存密度實現了較廉價的大容量格式，但其讀寫的生命週期被極大地縮短，擦寫壽命只有短短的500~1000次，同時讀寫速度較差，只適合普通消費者使用，不能達到工業使用的標準。
優點：較低的生產成本開啟了廉價大容量ssd市場。
缺點：• 與slc、mlc相比，tlc儲存單元的擦寫壽命要短得多。 • 理論上讀寫速度與slc、mlc相比最慢。
建議使用物件：對儲存需求不大的輕度使用需求的計算機使用者，比如只使用上網、郵件等簡單功能的上網本、平板。
qlc:quad-level cells
qlc每個單元可儲存4bit資料，跟tlc相比，qlc的儲存密度提高了33%。qlc不僅能經受1000次程式設計或擦寫迴圈（與tlc相當，甚至更好），而且容量提公升了，成本也更低。
缺點：與slc、mlc相比，qlc的效能和寫入壽命有所降低，但與tlc相當。
建議使用物件：比較適合把qlc ssd作為資料倉儲的使用者。如果你對資料儲存量的需求較大、平時對計算機進行輕度使用（寫入操作少）、或者追求較低**，建議選用qlc。
3d nand技術可以把儲存單元堆疊最高32層。這樣一來，單個mlc儲存晶元上可以增加最高32gb的儲存空間，而單個tlc儲存晶元可增加48gb。
flash型別
slc單層單元
mlc多層單元
tlc三層單元
qlc四層單元
擦寫壽命
90,000-100,000
8,000-10,000
500-1000
1000
每個單元的位數12
34寫入速度（星星越多表示寫入速度越快）
★★★★★
★★★☆☆
★★☆☆☆
★★☆☆☆
耐用度（星星越多表示耐用度越高）
★★★★★
★★★☆☆
★★☆☆☆
★★☆☆☆
**（星星越少表示**越低）
★★★★★
★★★☆☆
★★☆☆☆
★☆☆☆☆
適合人群
工業/企業
普通消費者/遊戲玩家
輕度消費者
資料儲存量大的使用者
大多數ssd採用mlc和tlc，是目前比較普及的民用級硬碟；雖然slc穩定性更好，但不如mlc和tlc普遍。而qlc是新萌生的快閃儲存器型別，目前陸續上架，其**也比較適中
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