關於ARM晶元中記憶體架構的疑惑記錄

2021-10-10 06:12:06 字數 1368 閱讀 5568

ram :掉電丟失

rom:掉電保持

sram:靜態ram(static ram/sram),sram速度非常快,是目前讀寫最快的儲存裝置了,但是它也非常昂貴,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如cpu的一級緩衝,二級緩衝。

dram:動態ram(dynamic ram/dram),dram保留資料的時間很短,速度也比sram慢,不過它還是比任何的rom都要快,但從**上來說dram相比sram要便宜很多,計算機記憶體就是dram的

ddr ram:(date-rate ram)也稱作ddr sdram,這種改進型的ram和sdram是基本一樣的,不同之處在於它可以在乙個時鐘讀寫兩次資料,這樣就使得資料傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的記憶體,而且它有著成本優勢。

rom也有很多種,prom是可程式設計的rom,prom和eprom(可擦除可程式設計rom)兩者區別是,prom是一次性的,也就是軟體灌入後,就無法修改了,這種是早期的產品,現在已經不可能使用了,而eprom是通過紫外光的照射擦出原先的程式,是一種通用的儲存器。另外一種eeprom是通過電子擦出,**很高,寫入時間很長,寫入很慢。

flash儲存器又稱快閃儲存器,它結合了rom和ram的長處,不僅具備電子可擦除可程式設計(eeprom)的效能,還不會斷電丟失資料同時可以快速讀取資料(nvram的優勢),u盤和***裡用的就是這種儲存器。在過去的20年裡,嵌入式系統一直使用rom(eprom)作為它們的儲存裝置,然而近年來flash全面代替了rom(eprom)在嵌入式系統中的地位,用作儲存bootloader以及作業系統或者程式**或者直接當硬碟使用(u盤)。

目前flash主要有兩種nor flash和nadn flash

nor flash的讀取和我們常見的sdram的讀取是一樣,使用者可以直接執行裝載在nor flash裡面的**,這樣可以減少sram的容量從而節約了成本。

nand flash沒有採取記憶體的隨機讀取技術,它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的,通常是一次讀取512個位元組,採用這種技術的flash比較廉價。使用者不能直接執行nand flash上的**,因此好多使用nand flash的開發板除了使用nand flah以外,還作上了一塊小的nor flash來執行啟動**。

先看三張圖

以cortex-m3的儲存架構圖

回答開始的問題,不管arm晶元是自帶ram、rom。還是外部ram、rom。位址範圍都在0-4g範圍內。

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