2.2 mos的i/v特性
2.3 二級效應
2.4 mos器件模型
2.1 基本概念
2.1.1 moseft開關
2.1.2 moseft結構
對於上圖（介紹nmos這張）中襯底引腳問題，實際的鏈結是通過乙個p+
pmos
但在實際中，由於nmos和pmos需要做到同一張晶元上（cmos同時用到他們倆），於是就必須有乙個是區域性襯底，如下圖中b所示，學名「阱」
2.1.3 mos符號
2.2 mos的i/v特性
2.2.1 閾值電壓
當uds繼續擴大的時候，夾斷得更多，此時就出現了恆流區——增加的uds抵消了溝道增加的電阻值
於是就有了一開始的這張關係圖，他說明恆流區的電流大小於ug有關（由其決定）
2.3 二級效應
溝道長度調製：
亞閾值導電性：
電壓限制：
2.4 mos器件模型
2.4.1 mos器件版圖
2.4.2 mos器件電容
電容值可由電晶體的偏置情況決定：
2.4.3 mos小訊號模型（不懂）
這裡再提一下gm（手寫筆記最後乙個公式）：跨導，表達的是該nmos管在 vds 一定的情況下，nmos將電壓轉化成電流的能力的大小，定義為漏電流的變化量除以柵源電壓的變化量。
這個部分還沒明白：
2.4.4 mos spice模型
2.4.5 nmos與pmos器件的比較
2.4.6 長溝道器件與短溝道器件的比較
第2章 分支出12章 第2章彙編暫存器
彙編 1.8086cpu有14 個暫存器 通用暫存器 ax bx cx dxsi di sp bp ipcs ss ds es psw 通用暫存器明細 16位暫存器中 ax可以拆分為ah al 累加器 16位暫存器中 bx可以拆分為bh bl 基址暫存器 16 位暫存器中 cx可以拆分為ch cl ...
第2章 暫存器
cpu由運算器 控制器 暫存器等器件構成，器件靠內部匯流排連，與之前匯流排 外 不同 暫存器程式設計師可以用指令讀寫 8086cpu的14個暫存器 ax bx cx dx si di sp bp ip cs ss ds es psw 通用暫存器 用來存放一般性資料 ax bx cx dx 16位暫存...
第5章 虛擬儲存器（2）
1.頁面置換演算法效能比較 請求分頁管理下，存在三種方式的記憶體訪問 1 頁在記憶體，且快表檢索命中 eat t 2 頁在記憶體，但快表檢索沒有命中 eat 快表檢索時間 訪問頁表時間 修改更新快表時間 訪問頁面物理記憶體時間 t t 2 t 3 頁表不在記憶體 eat t t 為缺頁中斷處理時間 ...