en-3020c系統是專為測試igbt而設計。能夠真實準確測試出igbt與二極體的靜態引數：其測試範圍如下：
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柵極-發射極漏電流測試單元 igesf、igesr
柵極-發射極閾值電壓測試單元 vge（th）
集電極-發射極飽和電壓測試單元 vce（sat）
壓降測試單元 vf
反向擊穿電壓測試單元 vr、ir
門極-發射極間電壓測試單元 vces、ices
計算機控制系統
引數指標
1、柵極-發射極電壓 vges 及漏電流 iges
電壓 vges：0-40v 誤差±2% 解析度 0.1v
電流 iges：0.1-10µa 誤差±2% 解析度 0.01µa
集電極電壓：vce=0v
2、集電極-發射極電壓 vces 及電流 ices
集電極電壓 vces：100-3500v 誤差±2% 解析度 1v
集電極電流 ices：100µa-5ma 誤差±2% 解析度 10µa
柵極電壓 vge=0v
3、柵極-發射極閥值電壓 vge(th)
vge(th)：1-10v 誤差±2% 解析度 0.1v
顯示柵極-發射極閾值電壓 vge(th)
4、集電極發射極飽和電壓 vce(sat)
vce（sat）：0.2-5v 誤差±2% 解析度 10mv
集電極電流 ice：50-1500a 誤差±2% 解析度 1a
5、二極體壓降測試 vf vf：0-5v 誤差±3% 解析度 10mv
柵極電壓 vge：0v
電流 if：50-1500a 誤差±2% 解析度 1a
6、二極體反向擊穿電壓 bvr
電壓設定：100v-3500v 誤差±2% 解析度 1v
擊穿電流設定：0.1-10ma 誤差±2% 解析度 10ua
半導體引數分析儀
enj2005 c技術指標 主極引數 控制極引數 指標 標配 指標 標配 主極電壓 1mv 2000v 控制極電壓 100mv 80v 電壓解析度 1mv 電壓解析度 1mv 主極電流 0.1na 100a 控制極電流 100na 40a 電流解析度 100pa 測試精度 0.2 2lsb 測試速度...
用於半導體測試的模組化開關
對於積體電路製造商來說，隨著設計規模不斷演變，幾何形狀不斷縮小以及新材料的使用，晶圓級可靠性測試變得比過去更加重要。如果晶元有缺陷或封裝的裝置發生故障，這將推動可靠性測試和建模在生產過程中進一步上游化，以減少時間 生產能力 金錢和材料損失。在面對要在測試較高i o數量的情況下節省成本的難題時，很多可...
簡易自動電阻測試儀
這次練習的題目是2011年的簡易自動電阻測試儀。設計並製作一台簡易自動電阻測試儀。要求就是測量量程為 100 1k 10k 10m 四檔，並且前三檔可以自動切檔。3 位數字顯示 最大顯示數必須為 999 能自動顯示小數點和單位,測量速率大於 5 次 秒。發揮部分就是具有自動電阻篩選功能。即在進行電阻...