一、概述
向半導體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時，電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減，此時元件可吸收的能量稱為雪崩耐量，表示施加電壓時的抗擊穿性。對於那些在元件兩端產生較大尖峰電壓的應用場合，就要考慮器件的雪崩能量，電壓尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對於反激的應用場合，電路關斷時會產生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會降額，從而留有足夠的電壓餘量，但是一些電源在輸出短路時，初級中會產生較大的電流，加上初級電感，器件就會有雪崩損壞的可能，因此在這樣的應用條件下，就要考慮器件的雪崩能量。另外，由於一些電機的負載是感性負載，而啟動和堵轉過程中會產生極高的衝擊電流，因此也要考慮器件的雪崩能量。
功率器件雪崩耐量測試儀是本公司研發設計的測試二極體、scr、mosfet雪崩耐量的專業測試裝置，能夠準確快速的測試出二極體、scr、mosfet的雪崩耐量。該裝置包括：可控直流電源、可選電感、電流感測器、電壓感測器、雪崩保護電壓、igbt功率型器件、igbt功率型器件保護電路、計算機控制系統、雪崩電壓採集系統、雪崩電流採集系統、測試標準介面卡、外接測試埠（根據客戶需求）等多個部分。
二、使用要求
進線電壓： ac220v±10%
電壓頻率： 50hz±1hz
功率消耗： 1.5kw（最大功率）
環境溫度： 10～50℃
工作濕度： 溫度不高於+30℃時，相對濕度5%-80%。
溫度+30℃到+50℃時相對濕度5%-45%，無冷凝。
大氣壓力： 86kpa～106kpa
海拔高度： 不超過3000公尺。
三、技術指標
漏極電壓：20-300v±2%，解析度0.1v；
雪崩能量：實測
雪崩電流：0.01a-200a±2%，解析度0.1a；
柵極電壓：±30v±2%，分辨。率0.1v
雪崩電壓：4500v
電感：50uh~10mh
電壓波形：方波
脈衝寬度：100us-800ms
測試頻率：單次/重複
聯絡15249202572
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