一、晶元特性
1.4.0v-14v的輸入工作電壓，5.0v-20v的輸出電壓。
2.三種工作模式：充電模式、公升壓模式和睡眠模式。
①充電模式下對電池充電電流峰值5a，公升壓模式下對外放電峰值3a。
②4個充電階段按順序分別為：涓流充電、預充電、恆流充電和恆壓充電。
③輸入電源存在時，自動檢測介面卡型別並設定輸入電流限制，支援qc3.0快充協議。
④負載存在時，自動切換到公升壓模式對外輸出，支援掛載快充識別晶元。
⑤沒有輸入源與負載的情況下，自動進入睡眠模式降低功耗，工作電流為18~22μa。
3.可程式設計3.1 - 4.675v充電電壓，精度為0.5％。
4.具有i2c功能，通過i2c介面，主控晶元可以靈活地對mp2669晶元進行引數配置以及工作狀態讀取。
5.整合8位的sar adc用於電壓電壓的測量，轉換時間20μs。
6.安全保護功能：輸入過壓保護、電池過壓保護、短路保護、熱關斷和電池溫度監測。
7.當測量電池電流電阻為10mω時，預設引數如下圖：
二、電氣特性
1.充電模式
①充電模式靜態電流 2.3ma。
②輸入欠壓鎖定電壓 5v輸入時–3.5v鎖定、9v輸入時–7.5v鎖定、12v輸入時–10.5v鎖定，解除鎖定電壓 400mv。
③輸入過壓保護：5v輸入時–7v保護、9v輸入時–11v保護、12v輸入時–14v保護，解除保護電壓 400mv。
④輸入過流保護：5.5a輸入持續3ms時保護，300ms後再次開啟並檢測輸入電流。
⑤電池滿電電壓、預充電池電壓閾值、恆流充電電流、預充充電電流、終止充電電流都可以通過i2c通訊設定。
涓流充電電流 100ma。
⑥電池短路保護電壓2.0v，解除保護電壓250mv。電池滿電解除電壓270mv。
2.公升壓模式
①休眠模式靜態電流 18μa、公升壓模式靜態電流2ma。
②輸出反饋電壓基準 vfb = 0.52v。
③公升壓輸出電流限制可通過i2c通訊設定。預設5v–3300ma、9v–2250ma、12v–1700ma。
④電池欠壓鎖定：公升壓輸出時2.5v欠壓鎖定、非公升壓模式時2.9v欠壓鎖定。
⑤電池輸入/輸出電流ib計算公式：。
⑥高低電平判斷標準：低電平<0.4v，高電平》1.3v。
三、典型效能特徵
四、應用資訊
1.充電模式應用
①充電迴圈：涓流充電–預充電–恆流充電–恆壓充電
無法充電可以檢查：1)輸入源是否符合要求；
2)i2c是否使能了充電模式；
3)是否有熱敏電阻故障；
4)是否有電池過壓。
寒冷（cold）電池閾值（tntc < 0°c）
冷（cool） 電池閾值（0°c < tntc < 10°c）
暖（warm） 電池閾值（45°c < tntc < 60°c）
熱（hot） 電池閾值（tntc > 60°c）
③vcc ldo輸出
vcc ldo輸出範圍 4.35v–4.65v，最佳4.5v。
2.int 向主控晶元傳送中斷
觸發條件：
①插入了良好的輸入源
②有負載插入
③充電模式使能
④預充電模式到恆流充電模式
⑤充電完成
⑥電池短路
⑦reg09中的任何錯誤
3.充電模式應用
①公升壓模式下在sys引腳上可提供穩定的5-12v輸出，公升壓條件如下圖所示
②負載檢測
在待機模式下，sys通過內部6kω電阻上拉至vcc，並監視vsys。一旦系統電壓下降到vcc的89％，就會檢測到負載插入。
③輕負載時公升壓模式關閉
如果從sys流出的負載電流低於30ma並持續36秒，公升壓將自動關閉。
④同時充放電
支援充電輸入與公升壓輸出同時工作。當vin > 1v時，公升壓被禁止。檢測到輸入源或負載或按下pb按鈕時，會執行相應的充電協議檢測，但充電輸入只能將5v送到公升壓輸出介面。
⑤公升壓模式下的熱關斷保護
公升壓模式下熱關斷保護也是有效的。 一旦結溫公升高超過150°c，ic進入熱關斷。當結溫降至120°c以下時，ic恢復正常工作。
⑥電池電量指示標
4.睡眠模式應用
當充電模式與公升壓模式都被禁止時，系統自動進入睡眠模式，降低功耗。休眠模式靜態電流 18μa。
五、引數設定
1.充電模式下ntc功能
設定ntc溫度範圍公式如下圖所示：
根據選定的ntc電阻的0°c與50°c阻值代入計算。
2.電感選擇
①充電模式下：
其中vin是典型輸入電壓，vbatt是cc電荷閾值，fsw是開關頻率，δil_max是最大峰峰值電感電流，通常為cc的30-40％。
②公升壓模式下：
其中vbatt是電池最小電壓，fsw是開關頻率，δil_max是峰峰值電感紋波電流，約為最大電池電流（ibatt（max））的30％，
i sys（max）是輸出電流，η是效率。
③引數建議：
為了獲得更高的效率，選擇乙個2.2μh電感，並將電感的直流電阻降至最低，電感的直流電流額定值不低於mosfet峰值電流。
3.輸入電容（cin）選擇
輸入電容能降低從輸入引出的浪湧電流和來自器件的開關雜訊。開關頻率下的輸入電容阻抗應小於輸入源阻抗，以防止高頻開關電流傳輸至輸入端。為了獲得最佳效果，請使用x7r電介質的陶瓷電容，因為它們具有較低的esr和較小的溫度係數。對於大多數應用而言，22μf電容就足夠了。
4.系統電容（cpmid）選擇
①充電模式下，電容（cpmid）充當降壓轉換器的輸入電容。輸入電流紋波可以用下圖公式計算：
②公升壓模式下，電容（cpmid）是公升壓轉換器的輸出電容。cpmid保持輸出電壓紋波小，並確保反饋迴路穩定。輸出電流紋波可以用下圖公式計算：
由於輸入電壓直接傳遞到系統，因此vin_max = vpmid_max，並且充電模式和公升壓模式都具有相同的系統電流紋波。
③引數選擇：
最大紋波電流約為1a。根據紋波電流溫公升不超過10°c選擇pmid電容器。為獲得最佳效果，請在x7r電介質中使用具有低esr和小溫度係數的陶瓷電容器。對於大多數應用，請使用三個22μf電容。
5.電池電容（cbatt）選擇
cbatt與電池併聯以吸收高頻開關紋波電流。
①充電模式下，電容（cbatt）是降壓轉換器的輸出電容。可以用下圖公式計算輸出電壓紋波：
②公升壓模式下，電容（cbatt）是公升壓轉換器的輸入電容。 輸入電壓紋波與上圖中的輸出電壓紋波相同。
充電模式和公升壓模式都具有相同的電池電壓紋波。電容（cbatt）可以用下圖公式計算：
③引數選擇：
兩個或三個22μfx7r電介質電容器併聯。
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