齊納擊穿與雪崩擊穿

隨著反向電壓的提高，空間電荷區內電場增強，通過勢壘區的載流子獲得的能量也隨之增加。當反向電壓接近擊穿電壓ub時，這些有較高能量的載流子與空間電荷區內的中性原子相遇發生碰撞電離，產生新的電子一空穴對。這些新產生的電子和空穴又會在電場的作用下，重新獲得能量，碰撞其它的中性原子使之電離，再產生更多的電子一空穴對。這種連鎖反應繼續下去，使空間電荷區內的載流子數量劇增，就像雪崩一樣，使反向電流急劇增大，產生擊穿。所以把這種擊穿稱為雪崩擊穿。雪崩擊穿一般發生在摻雜濃度較低、外加電壓又較高的pn結中。這是因為摻雜濃度較低的pn結，空間電荷區寬度較寬，發生碰撞電離的機會較多。

當反向電壓增大到一定值時，勢壘區內就能建立起很強的電場，它能夠直接將束縛在共價鍵中的價電子拉出來，使勢壘區產生大量的電子一空穴對，形成較大的反向電流，產生擊穿。把這種在強電場作用下，使勢壘區中原子直接激發的擊穿現象稱為齊納擊穿。

齊納擊穿一般發生在摻雜濃度較高的pn結中。這是因為摻雜濃度較高的pn結，空間電荷區的電荷密度很大，寬度較窄，只要加不大的反向電壓，就能建立起很強的電場，發生齊納擊穿。