可控矽壞的原因有哪些
1、電壓擊穿
可控矽因不能承受電壓而損壞，其晶元中有乙個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。
2、電流損壞
電流損壞的痕跡特徵是晶元被燒成乙個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制極上。
3、電流上公升率損壞
其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。
4、邊緣損壞
他發生在晶元外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是製造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。
如何保護可控矽不被損壞
1、過電壓保護
閘流體對過電壓很敏感，當正向電壓超過其斷態重複峰值電壓udrm一定值時閘流體就會誤導通，引發電路故障；當外加反向電壓超過其反向重複峰值電壓urrm一定值時，閘流體就會立即損壞。因此，必須研究過電壓的產生原因及抑制過電壓的方法。
過電壓產生的原因主要是供給的電功率或系統的儲能發生了激烈的變化，使得系統來不及轉換，或者系統中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發現為雷擊等外來衝擊引起的過電壓和開關的開閉引起的衝擊電壓兩種型別。由雷擊或高壓斷路器動作等產生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰，對閘流體是很危險的。
2、過電流保護
由於半導體器件體積小、熱容量小，特別像閘流體這類高電壓大電流的功率器件，結溫必須受到嚴格的控制，否則將遭至徹底損壞。當閘流體中流過大於額定值的電流時，熱量來不及散發，使得結溫迅速公升高，最終將導致結層被燒壞。
產生過電流的原因是多種多樣的，例如，變流裝置本身閘流體損壞，觸發電路發生故障，控制系統發生故障等，以及交流電源電壓過高、過低或缺相，負載過載或短路，相鄰裝置故障影響等。
閘流體過電流保護方法最常用的是快速熔斷器。由於普通熔斷器的熔斷特性動作太慢，在熔斷器尚未熔斷之前閘流體已被燒壞；所以不能用來保護閘流體。快速熔斷器由銀製熔絲埋於石英沙內，熔斷時間極短，可以用來保護閘流體。
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