我們常說的mos管，又稱為絕緣柵型場效電晶體，是場效電晶體的一種。單個mos管很多人肯定都見過，就是下面這樣子。
mos管分四種：n溝道增強型mos管、p溝道增強型mos管、n溝道耗盡型mos管、p溝道耗盡型mos管。
看到這裡，頭都大了。其實沒必要，因為在工業上用的比較多的就是增強型的mos管，而且用的最多的就是n溝道的增強型mos管，也就是nmos。
mos管有兩個電極，分別是漏極d和源極s。
無論是n型還是p型都是一塊摻雜濃度較低的p型半導體矽襯底上，用半導體光刻、擴散工藝製作兩個高摻雜濃度的n+/p+區，並用金屬鋁引出漏極d和源極s。然後在漏極和源極之間的n/p型半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化矽(si02)絕緣層膜，再在這個絕緣層膜上裝上乙個鋁電極，作為柵極g。這就構成了乙個n/p溝道(npn型)增強型mos管。
mos管很多時候當做開關來用。
pmos管，柵極低電平就完全導通，高電平就完全截止，一般用於管理電源的通斷。
nmos管，正好相反，柵極高電平就導通導致接地，低電平截止，一般用於管理某電路是否接地。
好了，我們來看看nmos管有哪些重要的引數吧。
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