場效電晶體n溝道和p溝道判斷方法
（1） 場效電晶體的極性判斷，管型判斷（如圖）
g極與d極和s極正反向均為∞
（2） 場效電晶體的好壞判斷
把數字萬用表打到二極體檔，用兩錶筆任意觸碰場效電晶體的三隻引腳，好的場效電晶體最終測量結果只有一次有讀數，並且在500左右。如果在最終測量結果中測得只有一次有讀數，並且為「0」時，須用錶筆短接場效電晶體識引腳，然後再測量一次，若又測得一組為500左右讀數時，此管也為好管。不符合以上規律的場效電晶體均為壞管。
場效電晶體的代換原則（注：只適合主機板上場效電晶體的代換）
一般主機板上採用的場效管大多為絕緣柵型增強型n溝通最多，其次是增強型p溝道，結型管和耗盡型管一般沒有，所以在代換時，只須在大小相同的情況下，n溝道代n溝道，p溝道代p溝道即可。
圖6-38 n溝道增強型場效電晶體
場效電晶體的源極和襯底通常是接在一起的(大多數場效電晶體在出廠前已聯結好)。從圖6-39(a)可以看出，漏極d和源極s之間被p型存底隔開，則漏極d和源極s之間是兩個背靠背的pn結。當柵-源電壓ugs=0時，即使加上漏-源電壓uds，而且不論uds的極性如何，總有乙個pn結處於反偏狀態，漏-源極間沒有導電溝道，所以這時漏極電流id≈0。
若在柵-源極間加上正向電壓，即ugs＞0，則柵極和襯底之間的sio2絕緣層中便產生乙個垂直於半導體表面的由柵極指向襯底的電場，這個電場能排斥空穴而吸引電子，因而使柵極附近的p型襯底中的空穴被排斥，剩下不能移動的受主離子(負離子)，形成耗盡層，同時p襯底中的電子(少子)被吸引到襯底表面。當ugs數值較小，吸引電子的能力不強時，漏-源極之間仍無導電溝道出現，如圖6-39(b)所示。ugs增加時，吸引到p襯底表面層的電子就增多，當ugs達到某一數值時，這些電子在柵極附近的p襯底表面便形成乙個n型薄層，且與兩個n+區相連通，在漏-源極間形成n型導電溝道，其導電型別與p襯底相反，故又稱為反型層，如圖6-39(c)所示。ugs越大，作用於半導體表面的電場就越強，吸引到p襯底表面的電子就越多，導電溝道越厚，溝道電阻越小。我們把開始形成溝道時的柵-源極電壓稱為開啟電壓，用ut表示。
圖6-39 n溝道增強型場效電晶體的溝道形成圖
由上述分析可知，n溝道增強型場效電晶體在ugs＜ut時，不能形成導電溝道，場效電晶體處於截止狀態。只有當ugs≥ut時，才有溝道形成，此時在漏-源極間加上正向電壓uds，才有漏極電流id產生。而且ugs增大時，溝道變厚，溝道電阻減小，id增大。這是n溝道增強型場效電晶體的柵極電壓控制的作用，因此，場效電晶體通常也稱為壓控三極體。
n溝道增強型場效電晶體的輸出特性曲線和轉移特性曲線如圖6-40和圖6-41所示。
圖6-40 n溝道增強型場效電晶體的輸出特性曲線
圖6-41 n溝道增強型場效電晶體的轉移特性曲線
2．耗盡型絕緣柵場效電晶體
從結構上看，n溝道耗盡型場效電晶體與n溝道增強型場效電晶體基本相似，其區別僅在於當柵-源極間電壓ugs= 0時，耗盡型場效電晶體中的漏-源極間已有導電溝道產生，而增強型mos管要在ugs≥ut時才出現導電溝道。原因是製造n溝道耗盡型場效電晶體時，在sio2絕緣層中摻入了大量的鹼金屬正離子na+或k+(製造p溝道耗盡型場效電晶體時摻入負離子)，如圖6-42(a)所示，因此即使ugs=0，在這些正離子產生的電場作用下，漏-源極間的p型襯底表面也能感應生成n溝道(稱為初始溝道)，只要加上正向電壓uds，就有電流id。如果加上正的ugs，柵極與n溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子，溝道加寬，溝道電阻變小，id增大。反之，ugs為負時，溝道中感應的電子減少，溝道變窄，溝道電阻變大，id減小。當ugs負向增加到某一數值時，導電溝道消失，id趨於零，該管截止，故稱為耗盡型。溝道消失時的柵-源電壓稱為夾斷電壓，用up表示，為負值。在ugs=0、ugs>0、up
gs<0的情況下均能實現對id的控制，而且仍能保持柵-源極間有很大的絕緣電阻，使柵極電流下均能實現對id的控制，而且仍能保持柵-源極間有很大的絕緣電阻，使柵極電流為零。這是耗盡型場效電晶體的乙個重要特點。
圖6-42 n溝道耗盡型場效電晶體
圖6-42(b)是n溝道耗盡型場效電晶體的代表符號。圖6-43是n溝道耗盡型場效電晶體的輸出特性曲線，圖6-44是n溝道耗盡型場效電晶體的轉移特性曲線。實驗表明，耗盡型場效電晶體的轉移特性可近似用表示為
圖6-43 n溝道耗盡型場效電晶體的輸出特性曲線
圖6-44 n溝道耗盡型場效電晶體的轉移特性曲線
以上介紹了n溝道絕緣柵場效應增強型和耗盡型管，實際上p溝道也有增強型和耗盡型，其符號如圖6-45所示。
圖6-45 p溝道絕緣柵場效應電晶體
關於場效電晶體的各種引數及特性見《電路與電子技術實驗指導》附錄五。
絕緣柵場效電晶體還有乙個表示放大能力的引數，即跨導，用符號gm表示。跨導gm是當漏—源電壓uds為常數時，漏極電流的增量δid對引起這一變化的柵—源電壓δuds的比值，即
(6-23)
跨導是衡量場效應電晶體柵—源電壓對漏極電流控制能力的乙個重要引數，它的單位是μa/v或ma/v。
絕緣柵型n溝道場管 場效電晶體 分類 結構以及原理
場效應電晶體 field effect transistor縮寫 fet 簡稱場效電晶體，是較新型的半導體材料，利用電場效應來控制電晶體的電流，因而得名。它只有一種載流子參與導電的半導體器件，是一種用輸入電壓控制輸出電流的半導體器件。從參與導電的載流子來劃分，它有電子作為載流子的n溝道器件和空穴作為...
兩種最基本的MOS管 N溝道與P溝道
在實際專案中，我們基本都用增強型mos管，分為n溝道和p溝道兩種。我們常用的是nmos，因為其導通電阻小，且容易製造。在mos管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有乙個寄生二極體。這個叫體二極體，在驅動感性負載 如馬達 這個二極體很重要。順便說一句，體二極體只在單個的mos管中存在，在積體電路晶元內部...
9N90 ASEMI大功率場效電晶體9A 900V
9n90 asemi大功率場效電晶體9a 900v 型號 9n90 品牌 asemi 封裝 to 220 電性引數 9a 900v 正向電流 9a 反向耐壓 900v 引腳數量 3 晶元個數 晶元尺寸 封裝尺寸 如圖 特性 大電流 mos管 浪湧電流 工作溫度 55 150 產品描述 場效應電晶體簡...