1.穩壓管:
穩壓管用5到6v最好，有較好的溫度係數。因為此時的齊納擊穿（負溫度係數，較低電壓下，較高摻雜濃度）和血崩擊穿（正溫度係數，較高電壓下，較低摻雜濃度）發生的可能性和程度差不多。正常的齊納擊穿可以恢復（在較小電壓，下產生較大電場強度，僅使勢壘區共價鍵斷裂，物理本質是場致電離，因為勢壘區窄，電流大但是可以恢復），血崩擊穿不可恢復（較大電壓下，少子能量變大，碰撞使二極體中共價鍵斷裂，電流更大，不可恢復），在物理上燒毀，表現為短路。（少子漂移運動）
2.二極體勢壘區:摻雜濃度高，勢壘區窄，摻雜濃度低，勢壘區寬。因為濃度越高，單位長度裡建立的勢壘區電壓就越高，電場強度也越大。雖然濃度高，電荷收到的化學能壓力更大，不過顯然內電場的增量更大，所以勢壘區變窄。
3.二極體的結電容和導通電壓電力二極體作為開關器件。結電容將影響它的開關速度。通常，反向電壓越大，結電容越小，這是因為q＝cu，電流近乎截止，q非常小，所以電壓越大，結電容越小。此時結電容由勢壘電容決定。同理，正向時，電流越大，結電容越大。電流越大，電力二極體低摻雜n區電荷越多，電壓不變的情況下，結電容變大。結電容在開通和關斷時不同的數值對電壓質量會有影響。所以關斷時考慮結電容帶來的電流過衝，以及引起的電壓過衝。開通時，不考慮結電容，但是因為低摻雜n區少子在電導調製效應沒來之前電阻較大，會有電壓過衝。電力二極體在正向低壓時，表現為電阻。這是由低摻雜濃度n區帶來的。
4.二極體正嚮導通，空間電荷區變窄。正嚮導通，正電壓和內電場共同決定pn結中電場強度。此時內電場被削弱，擴散運動由濃度決定，不變，則使得擴散運動大於漂移運動，出現擴散電流。且電流流經導線構成迴路，不會增強內電場。空間電荷區變窄，是因為空間電荷區電場不是勻強電場，可以等價為許多空間距離近似連續的極板的疊加。所以中間的場強最強，越是靠近邊緣越是微弱。在外電的作用下，邊緣場強直接消失。反向截止時，擴散運動不變，漂移運動在外電場的作用下加劇，使得漂移運動帶來漏電流，少子濃度太低，幾乎截止。如上建模，邊緣變大，所以空間電荷區變寬。
6.pn結是空間電荷區。
5.關於二極體的多子少子的疑問pn結結構正偏和反偏是不一樣的。相同電壓作用的結果也是不一樣的。
7.電力二極體（整流二極體，肖特基二極體，快恢復二極體等）整流二極體的反向恢復時間5us以上快恢復1us以下，超快100ns以下肖特基是多子器件，反向沒有明顯電壓過衝，正向壓降小，反向耐壓能力弱（通常低於200v）
齊納二極體和肖特基二極體
齊納二極體 又叫穩壓二極體 此二極體是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導體器件.在這臨界擊穿點上,反向電阻降低到乙個很少的數值,在這個低阻區中電流增加而電壓則保持恆定,穩壓二極體是根據擊穿電壓來分檔的,因為這種特性,穩壓管主要被作為穩壓器或電壓基準元件使用.其伏安特性,穩壓二極體可以串聯...
發光二極體和光敏二極體
發光二極體和光敏二極體 sun 403 發光二極體是半導體二極體的一種，可以把電能轉化成光能 常簡寫為led。發光二極體與普通二極體一樣是由乙個pn結組成，也具有單向導電性。當給發光二極體加上正向電壓後，從p區注入到n區的空穴和由n區注入到p區的電子，在pn結附近數微公尺內分別與n區的電子和p區的空...
二極體 發光二極體引數詳解
普通發光二極體的正向飽和壓降為 正向工作電流為 led的特性 1 極限引數的意義 1 允許功耗pm 允許加於led兩端正向直流電壓與流過它的電流之積的最大值。超過此值，led發熱 損壞。2 最大正向直流電流ifm 允許加的最大的正向直流電流。超過此值可損壞二極體。3 最大反向電壓vrm 所允許加的最...