英文縮寫:d (diode)
電路符號:
半導體二極體的分類
半導體二極體的導通電壓
半導體二極體主要特性是單向導電性,也就是在正向電壓的作用下,導通電阻很小;而在反向電壓作用下導通電阻極大或無窮大。
半導體二極體可分為整流、檢波、發光、光電、變容等作用。
半導體二極體的識別方法:
變容二極體
變容二極體是根據普通二極體內部「pn 結」 的結電容能隨外加反向電壓的變化而變化這一原理專門設計出來的一種特殊二極體。變容二極體在無繩**機中主要用在手機或座機的高頻調製電路上,實現低頻訊號調製到高頻訊號上,並發射出去。在工作狀態,變容二極體調製電壓一般加到負極上,使變容二極體的內部結電容容量隨調製電壓的變化而變化。
變容二極體發生故障,主要表現為漏電或效能變差
穩壓二極體
穩壓二極體的穩壓原理
穩壓二極體的特點就是擊穿後,其兩端的電壓基本保持不變。這樣,當把穩壓管接入電路以後,若由於電源電壓發生波動,或其它原因造成電路中各點電壓變動時,負載兩端的電壓將基本保持不變。
故障特點
穩壓二極體的故障主要表現在開路、短路和穩壓值不穩定。在這3種故障中,前一種故障表現出電源電壓公升高;後兩種故障表現為電源電壓變低到零伏或輸出不穩定。
半導體二極體的伏安特性
二極體的基本特性是單向導電性(矽管的導通電壓為0.6-0.8v;鍺管的導通電壓為0.2-0.3v),而工程分析時通常採用的是0.7v。
矽和鍺管的伏安特性曲線
半導體二極體的好壞判別
用萬用表(指標表)r﹡100 或r﹡1k檔測量二極體的正,反向電阻要求在1k左右,反向電阻應在100k 以上。總之,正向電阻越小,越好。反向電阻越大越好。若正向電阻無窮大,說明二極體內部斷路,若反向電阻為零,表明二極體以擊穿,內部斷開或擊穿的二極體均不能使用。
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二極體伏安特性曲線 二極體的溫度特性
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