初學mcu，c語言等知識的時候，對匯流排位址，rom、ram，flash，特殊暫存器等等都只是表面理解。突然想總結一下這幾年的理解。
首先ram是我們常人理解的執行記憶體。儲存在這裡面的內容斷電以後就沒了，再次上點以後就要重新開始了。
那麼我們思考再寫微控制器程式的時候，哪些東西是掉電以後就沒了呢。
自然是我們的變數，但要只是是可以讀寫的變數哦，如果是唯讀變數也就是常量是儲存在rom空間的。
那我們再分一下可以讀寫的變數包含哪些；
不同的關鍵字修飾它可能就會不太一樣。
常用的static變數，全域性變數，區域性變數這些都是再ram內，但是ram可以分為三個區域。堆、棧、靜態儲存區；
1、堆 由程式設計師自動分配（malloc）以及釋放，這裡的釋放很關鍵，一定要在使用完成後釋放記憶體(free)！！！
2、棧 編譯器自動分配的，我們的區域性變數，函式的一些形參都會儲存在這個區域
3、靜態儲存區：這裡存放的就是初始化的全域性變數和static修飾的變數，這裡注意只要是static修飾的變數都是存放在靜態儲存區的。
關於rom和flash，flash是rom的一種；
所有的常量，唯讀變數，還有**都是儲存在flash的。
前段時間在用一家國產的mcu，ram空間比較小。大師兄在做乙個加密演算法的時候碰到了空間不夠用的情況。
通過計算**的ram占用情況，應該是夠用的，但是結果卻不夠用。
是因為原廠把flash分為了倆個區域，編譯器不能自動分配這倆個位址池。需要加關鍵字bank去修飾，程式設計師自己去分配。
還有就是因為編譯器做的不好，所以在c語言的情況下，有很多比較方便的寫法，但是涉及到直接定址和間接定址的關係，需要比較囉嗦，分開去寫，效率會更高。印象很深的是要注意不能多次傳參，受到他們堆疊級數的約束。
所以要參考他們給到的一些示意例程去寫。提高效率合理使用。
國產mcu或者是晶元這方面還需要加油。。。。
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