如圖所示mosfet有三個極，分別是柵極g、漏極d、源極s。rl作為載流電阻，v0_out一直等效於vds。g_in為柵極的輸入（在之後的說明中用v1替代）。
首先我們要先引進乙個概念就是mosfet的截止電壓，當mosfet的vgs達到一定的的程度，也就是達到mosfet器件的截至電壓時（一般稱這個電壓為vt）,mosfet的d極以及s極就會呈現導通的狀態，這是我們研究飽和未飽和狀態的基礎。當vgs>=vt時，d極和s極導通可以看做電阻極小的開路，所以可以認為電源達到了額定的輸出電流。當mosfet達到和未到達截止電壓時輸出是這樣的。
當我們確定d極與s極現在處與乙個導通狀態後，我們還需要明確一點才能夠開始研究mosfet在飽和和未飽和狀態下的電路輸出。
1.vgs>=vt;
2.vds>=vgs-vt;
電路在滿足這三個條件的時候就達到了mosfet的飽和狀態，如果當前電路只滿足了第乙個條件而沒有滿足第二個條件這是mosfet就處於乙個未飽和的狀態。
當mosfete未飽和是我們通常可以簡單將mosfet當做乙個電阻來處理，電路輸出是下圖這樣的。
隨著vds的增加，輸出的ids是線性的。由於mosfet的電阻極小所以計算時可以直接代入rl的值進行計算ids。
接下來是我們的重頭戲，mosfte在飽和狀態下的ids分析。細心的朋友會發現在之前的分析中我們有提到2個條件，而在未飽和狀態下的實線部分就是只滿足了vgs>=vt這乙個條件，當vd逐漸增大到滿足第二個條件時vds>=vgs-vt，或者vgs在滿足vgs>=vt這個條件下，變小了使得第二個條件滿足時會發生什麼呢？
這時我們的ids就處於了乙個穩定的狀態，所以這時的mosfet可以看做乙個電流源飽和的電流可以通過這個公式計算出來。這個公式怎麼得出的不是我們現在關注的物件，是由mosfet本身的材料性質決定的。
而mosfet的放大作用和做電流源的作用就由這個公式決定。
當vgs以相當步長加減時我們可以看到ids出現了指數級別的變化，由此產生了放大的作用，我們只用控制vgs的值和vds的值就可以控制mosfet的放大作用。
本人才疏學淺也是剛剛接觸模電不久，希望有什麼不對的地方大家可以給我指出來，希望能和朋友們一起學習進步。
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