fee（flash eeprom emulation），即flash模擬eeprom。為什麼要用flash模擬eeprom？下面我們來看下兩者之間的區別。
non-volatile memory，非易失性儲存器，就是斷電後可以儲存資料的儲存器。我們知道flash和eeprom都屬於這類儲存器，可是它們兩者之間還是有很多不同，主要有以下幾個方面：
1.擦寫方式不同
flash：分為若干個page，擦除的時候會整片擦除，寫的時候必須該位為1才可以寫進去，所以說，每次在flash裡修改資料的時候，要先擦除再寫入。
eeprom：寫之前可以不需要擦除直接修改，可以修改單位元組，讀寫速度較慢一點。
2.擦寫次數
flash較eeprom較少。
3.從經濟角度來看
很多晶元取消了eeprom，用flash模擬eeprom來代替eeprom以降低成本。
4.面向的需求不同
flash：一般儲存一些不容易改變的資料，如車輛的一些出廠資料（vin碼）等，因為這些資料不需要時常改變，所以存在flash裡就可以。
eeprom：一般儲存一些容易改變的資料，如故障診斷中的dtc，如果將其存在flash裡面就會不停地去擦寫flash，並且擦除面積較大，不利於操作。
在autosar架構中，fee處於記憶體硬體抽象層（memory hardware abstraction），如下圖所示：
flash模擬eeprom機制：
我們知道flash是按頁操作的，這種方式比較適合扇區比較大的flash來用，假設我們的mcu的data flash有兩個扇區，將兩個扇區分別標記為邏輯扇區1（logical sector 1）和邏輯扇區2（logical sector 2）。假設我們要用flash模擬eeprom來儲存dtc，我們都知道dtc是個很小的資料，但是更新可能會比較頻繁，如下圖：
假設flash一次性可以寫8個位元組，我們可以這樣劃分：前4個位元組來儲存dtc標識，後4個位元組來儲存具體dtc（這是一種假設，程式設計師可以自行設計儲存長度等），每次dtc有更新我們就接著往沒有被寫到的空間更新資料，直到邏輯扇區1（logical sector 1）被寫滿，我們將最新的dtc資料複製進邏輯扇區2（logical sector 2）裡面，然後擦除整片邏輯扇區1（logical sector 1），這時，邏輯扇區1（logical sector 1）狀態變成（not actived）待工作片區，邏輯扇區2（logical sector 2）變成（actived）工作片區，等邏輯扇區2（logical sector 2）寫滿再將最新資料複製到邏輯扇區1（logical sector 1），然後擦除邏輯扇區2（logical sector 2），這樣來回反覆。
大致工作流程是這樣的，當然如果flash片區比較多不限於將邏輯扇區分成2個。現在一些晶元廠商如st在他們的一款車規級mcu spc560系列上已經提供了flash模擬eeprom的介面，程式設計師只需知道這種機制，在spc5studio裡配置好邏輯扇區，生成**後直接使用就可以。
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