預充電(precharge)：假設，當前操作的是第一行，現在需要關閉第一行，去訪問第二行中的某個位址了，在關閉第一行之前，必須對第一行進行乙個重新整理操作，這個關閉之前的重新整理操作就叫預充電。之所以又這樣的操作，是因為，對第一行進行操作之後，特別是讀操作之後，控制電容導通的開關曾經開啟過，電容的電量被消耗過（特指充滿電的電容），已經無法保證：在下次自動重新整理之前依然保持原有狀態。因此需要關閉之前，對第一行進行一次重新整理操作，對原來滿電狀態的電容進行一次充電，以保證該電容電量才下次重新整理操作到來之前，能夠維持在閾值之上。
寫恢復期(write back)：資料寫入的操作也是在 trcd 之後進行，但此時沒有了 cl（記住，cl 只出現在讀取操作中），行定址與列定址的時序圖和上文一樣，只是在列定址時，we#為有效狀態。
為了保證資料的可靠寫入，都會留出足夠的寫入/校正時間（twr，write recovery time），這個操作也被稱作寫回（write back）。twr 至少占用乙個時鐘週期或再多一點（時鐘頻率越高，twr 占用週期越多）;
列位址潛伏期：在選定列位址後，就已經確定了具體的儲存單元，剩下的事情就是資料通過資料 i/o 通道（dq）輸出到記憶體匯流排上了。 但是在cas發出之後，仍要經過一定的時間才能有資料輸出，從cas與讀取命令發出到第一筆資料輸出的這段時間，被定義為 cl（cas latency，cas 潛伏期）。由於cl只在讀取時出現，所以 cl 又被稱為讀取潛伏期（rl，read latency）.
自動重新整理：由於動態儲存器
儲存單元存在漏電現象，為了保持每個儲存單元資料的正確性，外部控制器必須保證在64ms內對所有的儲存單元重新整理一遍。乙個自動重新整理周期只能重新整理儲存單元的乙個行，每次重新整理操作後內部重新整理位址計數器自動加「1」。重新整理操作執行期間只能輸入空操作。該器件可以每間隔7.8μs執行一次自動重新整理命令，也可以在64ms內的某個時間段對所有單元集中重新整理一遍。
重新整理操作分為兩種：自動重新整理（auto refresh，簡稱 ar）與自重新整理（self refresh，簡稱 sr）。當sdram休眠時，不需要外部控制器傳送自動重新整理命令，內部自己重新整理自己。
部分參考：
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