2.flash寫入多個數
3.讀取flash中儲存的數值
一、初步認識flash如果想要實現掉電儲存，首要的任務就是找到乙個地方可以存放這些資料，當這些資料發生改變的時候，把資料存放進去，並且保證上電後不會被擦除。這麼一來，等在次上電之後，通過讀取掉電前儲存的資料，實現掉電儲存功能。
可以存放資料的地方可分為在兩種片上flash和片外flash，常見的片上快閃儲存器有eeprom，片外的儲存晶元有w25q***。本篇文章使用的是直接在flash中儲存。根據不同的晶元型別，快閃儲存器的大小都是不一樣的。如下圖（其他部落格擷取來的）：
主控晶元的記憶體一般可分為8塊：存放初始化程式的固化部分、資料段、**段、堆空間、棧空間等。掉電儲存資料的地方在第0塊中的某個位置（0x0800 0000 ~0x0808 0000,這個的大小對應晶元快閃儲存器大小）只要存放的資料不超出這個範圍，一切都好說。
二、flash寫入資料通過對上面的了解，大概知道了存放的位置。之後就可以向這個位置裡面為所欲為啦？當然不是。下面以stm32標準庫為例，你需要在工程裡面加入stm32f10x_flash.c檔案，這個檔案抱恨了很多對flash操作的方法，我們只需要呼叫這些方法才可以為所欲為。（膜拜驅動大佬）。
怎麼實現為所欲為呢？一般有兩種：讀和寫。
寫入：檢查狀態–>解鎖–>擦除–>寫入–>上鎖–>完事。
讀取：解鎖–>讀取–>上鎖–>完事。
/*
功能：向flash中寫入資料
返回值：
*/void
flash_writebyte
(u32 addr ,uint64_t *flashdata1,uint8_t len)
flash_lock()
;//上鎖
}
三、讀取flash中儲存的資料通過上面的寫入函式，就可以把資料寫入到flash中了，之後找到同乙個位址，將資料讀取出來，讀取的長度和寫進去的長度一致，之後將資料存到乙個陣列當中，再將陣列的值對應賦值給儲存進來的時的變數，就可以實現讀取功能。
/*
返回值：無
*/void
read_flash
(uint32_t addr,uint8_t len)
; u8 i=0;
uint64_t rdata =0;
flash_unlock()
;//解鎖flash
for(i=
0;i)flash_lock()
;//上鎖
/*********** 重新賦值給變數 ********/
s_num = new_pararry[0]
; f_num = new_pararry[1]
; r_num = new_pararry[2]
; total = new_pararry[3]
;
i_reg = new_pararry[4]
; vl_reg = new_pararry[5]
; vh_reg = new_pararry[6]
; t_reg = new_pararry[7]
; line1 = new_pararry[8]
; line2 = new_pararry[9]
; line3 = new_pararry[10]
; line4 = new_pararry[11]
; line5 = new_pararry[12]
;}
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