sram儲存器的儲存元為乙個觸發器。
sram的優點是訪問速度快，但儲存容量不如dram大。
任何乙個sram，都有三組訊號線與外部打交道：位址線、資料線和控制線。
如下圖表示儲存容量為32k*8位的sram邏輯結構圖，即256行*128列*8位。
1.簡介
dram儲存器的儲存元是由乙個mos電晶體和電容器組成的記憶電路。
與sram的區別：
（1）增加了行位址鎖存器和列位址鎖存器。控制分時傳送位址碼。
（2）增加了重新整理計時器和相應的控制電路。dram讀出後必須重新整理，而未讀寫的儲存元也要定時重新整理，而且要按行重新整理，所以重新整理計數器的長度等於列位址鎖存器。重新整理操作與讀/寫操作是交替執行的，所以通過2選1多路開關提供重新整理行位址或正常讀/寫的行位址。
2.重新整理
dram儲存位元是基於電容器上的電荷量儲存，這個電荷量隨著時間和溫度減少，所以必須定時重新整理，以保持它們原來記憶的正確資訊。一次讀操作會自動地重新整理選中行中的所有儲存位元。
重新整理操作分為集中式重新整理和分布式重新整理。
1)集中式重新整理：dram所有行在每乙個重新整理周期中都被重新整理。如重新整理周期為8ms的記憶體來說，所有行的集中式重新整理必須每隔8ms進行一次。8ms分為兩部分：前一段時間進行正常讀/寫操作，後一段時間（8ms至正常讀/寫週期時間）進行集中重新整理操作，資料線輸出被封鎖。
2)分布式重新整理：每一行的重新整理插入到正常的讀/寫週期中。如dram由1024行，若重新整理周期為8ms，則每一行必須每隔8ms/1024=7.8微秒進行一次。
由於單片儲存晶元的容量總是有限的，很難滿足實際的需要，因此，必須將若干儲存晶元連在一起才能組成足夠容量的儲存器，稱為儲存容量的擴充套件。
（1）位擴充套件
位擴充套件是為了增加儲存字長。
位址線及控制線由兩個晶元共享，資料每個晶元各4位。
（2）字擴充套件
字擴充套件是為了增加儲存器字的數量。
資料線及控制線由兩片晶元共享，兩片晶元的位址線不能同時操作，a10作為片選訊號，控制哪一片工作。
（3）字、位擴充套件
字、位擴充套件是既增加儲存字的數量，又增加儲存字長。
先進行位擴充套件，一組為兩片；再進行字擴充套件，共需四組。cs0控制第一組；cs1控制第二組；cs2控制第三組；cs3控制第四組。也就是說，兩兩晶元為一組，構成1個1kx8位的晶元；然後，用片選訊號a10、a11控制哪一片工作。
（2）資料線的連線：使資料位數與cpu的資料線數相等；
（3）讀/寫命令線的連線：如高電平為讀，低電平為寫；
（4）片選線的連線：解碼器的使用等；
（5）選擇合理的儲存晶元：晶元盡可能少；連線盡可能簡單。
計組學習筆記（二） 儲存器的分類
儲存器有很多很多種，從不同的角度對儲存器有不同的分類。1 按照在計算機中的作用 層次 進行分類 1 主儲存器 簡稱主存，就是我們常說的記憶體。用來存放計算機執行期間所需要的大量程式和資料，其主要特點是可以直接和cpu交換資訊 容量小 訪問速度快 單位成本高。2 輔助儲存器 簡稱輔存，就是我們常說的外...
計組 儲存系統
1 主存簡單模型 1.1 主存邏輯模型 儲存體 儲存具體的二進位制位 資料暫存器 暫存輸入 輸出的資料訊號 1.2 主存的物理模型 資料線 一般對應於資料線的根數，n 根資料線對應 n 位儲存字長 總容量 儲存單元個數 儲存字長 例 8k 8 位 即 2 8bit 13 根位址線，8 根資料線，則總...
三 主儲存器
1.儲存位 1 儲存的最基本單元是二進位制數字，即二進位制位，一位存放乙個0或1。有些所謂的能夠支援十位數運算的計算機，實際上用的是 bcd碼 binary coded decimal 即 二 十進位製碼。通過4位二進位制來表示1位十進位制。比如 十位數 1994 bcd 0001 1001 010...