everspin的mr25h10是乙個1,048,576位磁阻隨機訪問儲存器（mram）裝置，由131,072個8位字組成。mr25h10提供序列eeprom和序列快閃儲存器相容的讀/寫時序，沒有寫延遲，並且讀/寫壽命不受限制。
與其他序列儲存器不同，讀取和寫入都可以在記憶體中隨機發生，而兩次寫入之間沒有延遲。對於必須使用少量i/o引腳快速儲存和檢索資料和程式的應用，mr25h10是理想的儲存器解決方案。
mr25h10提供5mmx6mm8引腳dfn封裝或5mmx6mm8引腳dfn小標誌封裝。兩者均與序列eeprom，快閃儲存器和feram產品相容。該系列產品中的mr25h10cdf，mr25h10cdc可用於替換cypress的型號fm24v10.
mr25h10可在各種溫度範圍內提供高度可靠的資料儲存。該產品提供工業（-40°至+85°c）和aec-q1001級（-40°c至+125°c）工作溫度範圍選項。
對於必須使用最少數量的引腳快速儲存和檢索資料和程式的應用，mr25h10是理想的mram晶元。可提供aec-q1001級合格選項。40mhz的讀寫速度，具有無限的耐力。資料非易失性，保留20年。資料保留掉電。符合rohs的軟體包。
1mb序列spi mram
•無寫入延遲
•無限的寫續航力
•資料保留超過20年
•斷電時自動資料保護
•塊寫保護
•快速，簡單的spi介面，時鐘速率高達40mhz
•2.7至3.6伏電源範圍
•低電流睡眠模式
•工業溫度
•提供8引腳dfn或8引腳dfn符合rohs標準的小標誌
包裝•直接替換序列eeprom，快閃儲存器，feram
•aec-q1001級選件
MR1和MR2的工作原理
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