關於sram、dram、sdram等這樣的詞條，比較容易混淆，通過查詢資料做個總結。
首先看下面這張圖：
ram（random access memory）隨機儲存器。儲存單元的內容可按需隨意取出或存入，且訪問的速度與儲存單元的位置無關的儲存器。這種儲存器在斷電時將丟失其儲存內容，故主要用於儲存短時間使用的程式。
dram表示動態隨機訪問儲存器。這是一種以電荷形式進行儲存的半導體儲存器。dram中的每個儲存單元由乙個電晶體和乙個電容器組成。資料
儲存在電容器中。電容器會由於漏電而導致電荷丟失，因而dram器件是不穩定的。為了將資料儲存在儲存器中，dram器件必須有規律地進行重新整理。
sram 表示靜態態隨機訪問儲存器。 因此只要供電它就會保持乙個值。一般而言，sram 比dram要快，這是因為sram沒有重新整理周期。每個sram儲存單元由6個電晶體組成，而dram儲存單元由乙個電晶體和乙個電容器組成。相比而言，dram比sram每個儲存單元的成本要高。照此推理，可以斷定在給定的固
定區域內dram的密度比sram 的密度要大。
sram常常用於高速緩衝儲存器，因為它有更高的速率；而dram常常用於pc中的主儲存器，因為其擁有更高的密度。
具體解釋一：
什麼是dram
dram 的英文全稱是』dynamic ram』，翻譯成中文就是』動態隨機儲存器』。dram用於通常的資料訪問。我們常說記憶體有多大，主要是指dram的容量。
什麼是sram
sram 的英文全稱是』static ram』，翻譯成中文就是』靜態隨機儲存器』。sram主要用於製造cache。
什麼是sdram
sdram 的英文全稱是』synchronous dram』，翻譯成中文就是』擴充資料輸出記憶體』，它比一般dram和edo ram速度都快，它已經逐漸成為pc機的標準記憶體配置。
另一種解釋：
dram，動態隨機訪問儲存器，需要不斷的重新整理，才能儲存資料。 而且是行列位址復用的，許多都有頁模式。
sram，靜態的隨機訪問儲存器，加電情況下，不需要重新整理，資料不會丟失，而且，一般不是行列位址復用的。
sdram，同步的dram，即資料的讀寫需要時鐘來同步
這是計算機記憶體市場上對記憶體的分類方式，這些記憶體都屬於上面提到的dram。
sdram中文名字是「同步動態隨機儲存器」，意思是指理論上其速度可達到與cpu同步。通俗點講就是我們常說的記憶體條，自從pentium時代以來，sdram就開始了其不可動搖的霸主地位。這種主體結構一直延續至今。成為市場上無可爭議的記憶體名稱的代名詞。台式電腦使用的sdram一般為168線的管腳介面，具有64bit的頻寬，工作電壓為3.3伏，目前最快的記憶體模組為5.5納秒。由於其最初的標準是採用將記憶體與cpu進行同步頻率重新整理的工作方式，因此，基本上消除了等待時間，提高了系統整體效能。大家都知道cpu的核心頻率＝系統外部頻率×倍頻的方式。而記憶體就是工作在系統的外部頻率下，最初的66mhz的外部工作頻率嚴重地影響了系統整體的工作效能，晶元組廠商又陸續制訂出100mhz、133mhz系統外頻的工作標準。這樣sdram記憶體也就有了66mhz（pc66）、100mhz（pc100）和133mhz（pc133）三種標準規格。某些記憶體廠商為了滿足一些超頻愛好者的需求還推出了pc150和pc166記憶體，例如kingmax和micro等。
ddr sdram(dual date rate sdram)簡稱ddr，也就是「雙倍速率sdram「的意思。ddr可以說是sdram的公升級版本，ddr在時鐘訊號上公升沿與下降沿各傳輸一次資料，這使得ddr的資料傳輸速度為傳統sdram的兩倍。由於僅多採用了下降緣訊號，因此並不會造成能耗增加。至於定址與控制訊號則與傳統sdram相同，僅在時鐘上公升緣傳輸。ddr 記憶體是作為一種在效能與成本之間折中的解決方案，其目的是迅速建立起牢固的市場空間，繼而一步步在頻率上高歌猛進，最終彌補記憶體頻寬上的不足。
目前ddr已經發展到ddr3的時代，現在我們所購買的pc機大部分都採用的是ddr3 sdram記憶體條。ddr2 sdram（double data rate 2 sdram）是由jedec（電子裝置工程聯合委員會）進行開發的新生代記憶體技術標準，它與上一代ddr sdram記憶體技術標準最大的不同就是，雖然同是採用了在時鐘的上公升/下降延同時進行資料傳輸的基本方式，但ddr2記憶體卻擁有兩倍於上一代ddr記憶體預讀取能力（即：4bit資料讀預取）。換句話說，ddr2記憶體每個時鐘能夠以4倍外部匯流排的速度讀/寫資料，並且能夠以內部控制匯流排4倍的速度執行。ddr3 sdram相比起ddr2 sdram有更低的工作電壓，從ddr2的1.8v降落到1.5v，效能更好更為省電；ddr2的4bit預讀公升級為8bit預讀。ddr3最高能夠1600mhz的速度，由於最為快速的ddr2記憶體速度已經提公升到800mhz/1066mhz的速度，因而首批ddr3記憶體模組將會從1333mhz的起跳。
rdram原本是intel強力推廣的未來記憶體發展方向，其技術引入了risc（精簡指令集），依*高時鐘頻率（目前有300mhz、350mhz和400mhz三種規格）來簡化每個時鐘週期的資料量。因此其資料通道介面只有16bit（由兩條8bit的資料通道組成），遠低於sdram的64bit，由於rdram也是採用類似於ddr的雙速率傳輸結構，同時利用時鐘脈衝的上公升與下降沿進行資料傳輸，因此在300mhz下的資料傳輸量可以達到300×16bit/8×2=1.2gb/s，400mhz時可達到1.6gb/s，目前主流的雙通道pc800mhz rdram的資料傳輸量更是達到了3.2gb/s。相對於133mhz下的sdram的1.05gb/s，確實很有吸引力。由於這種記憶體是全新的結構體系，需要興建專用的記憶體生產線才能進行大批量生產，基本上無法對原有的生產線進行改建，這樣初期產品的成本肯定是難以與ddr進行競爭，而且生產這種記憶體還必須按產量向rambus公司交納一定的專利金，讓各廠商纏足不前，在一定程度阻礙了rdram的發展，不過更高頻寬的雙通道rdram不久將會出現。rambus公司已經推出世界上第一條執行在1200mhz頻率上的rdram，記憶體的峰值頻寬將達到4.8ghz/s。除此之外，rambus還將推出一款執行在1066mhz下的rdram，它們的設計和製造工藝和從前的rambus記憶體區別不是很大。
saram在乙個機器週期內只能被訪問一次，而daram則在乙個機器週期內能被訪問兩次。如tms320c54x系列dsp中就配置有這兩種記憶體
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