美國nasa(美國宇航局)格倫研究中心研製出一種新型的奈米離子射頻(rf)開關，非常適用於依賴低功率rf傳輸的裝置，如汽車系統、rfid技術以及智慧型手機等。這些開關能夠以半導體開關的速度執行，並且相比mems開關可靠性更高，同時具有mems開關所具備的優異的rf效能和低功耗優勢，而且無需更高的執行電壓。
這款可逆的電化學開關相比微機械開關的優勢包括：無揮發性、無可能失效的可動部件、方便且高效的開關切換以及易於製造。
奈米離子開關的原理：陽極產生離子，並遷移形成固態電解質，當在兩極施加乙個正偏置電壓時，負極會逸出電子，從而在正負極之間生長金屬奈米線。一旦奈米線生長到在兩極之間形成導電通路，則開關閉合，不像mems或基於半導體技術的開關，此時便不再需要電能來維持聯接。而聯接的過程很容易通過施加乙個負偏置電壓而逆轉，使奈米線移除從而實現開關開啟。聯接和斷開的過程大約僅需1納秒。
奈米離子材料可以通過這種方式沉積從而形成多層控制電路，能夠潛在的縮小電路尺寸，降低整體電路損耗，並簡化整合。這款開關比mems開關(50-60v)，其供電電壓僅需1v，並且，僅需採用5步傳統的積體電路製造工藝便可製得。
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