1. 畫一下電路圖：cmos反相器、與非門、或非門、三態輸出門、漏極開路門。
cmos反相器電路由兩個增強型mos場效電晶體組成。
上方為p溝道增強型mos管，下方為n溝道增強型mos管。
cmos反相器電路由兩個增強型mos場效電晶體組成，其中tn為nmos管，稱驅動管，tp為pmos管，稱負載管。 nmos管的柵源開啟電壓utn為正值，pmos管的柵源開啟電壓是負值，其數值範圍在2~5v之間。
所以，當輸入vi為低電平時，tp導通，tn截止，輸出vo為高電平vdd；當輸入vi為高電平時，tn導通，tp截止，輸出vo為低電平0。
參考：反相器
2. 解釋一下vih，vil，vol，voh，vt，iddq
vih：輸入電壓由高到低變化時，輸出電壓開始上公升且傳輸特性曲線斜率為-1的點，即圖中b點對應的輸入電壓。（仍能維持輸出為邏輯「1」的最大輸出電壓）
vil：輸入電壓由低到高變化時，輸出電壓開始下降且傳輸特性曲線斜率為-1的點，即圖中a點對應的輸入電壓。（仍能維持輸出為邏輯「0」的最小輸出電壓）
voh：定義為最小合格高電平。（維持輸出為邏輯「1」的最大輸出電壓）
vol：定義為最大合格低電平。（維持輸出為邏輯「0」的最大輸出電壓）
cmos積體電路內部規定vol = 0v，voh = vdd。
vt：mos管的閾值電壓
如果輸入電平是(vil+vih)/2，會有什麼問題
輸入電壓（vil+vih）/2接近於0.5vdd，cmos反相器的閾值電壓也接近於0.5vdd，這樣輸出不確定會是高電平還是低電平，輸出呈亞穩態！
參考：3. cmos反相器的速度與哪些因素有關？什麼是轉換時間（transition time）和傳播延遲（propagation delay）？
影響cmos電路工作速度的主要因素在於電路的外部，即負載電容cl。cl是主要影響器件工作速度的原因。由cl所決定的影響cmos門的傳輸延時約為幾十納秒。
參考：cmos與ttl電路的詳細對比區別
propagation delay（傳播延時）：在輸入訊號變化到50%vdd到輸出訊號變化到50%vdd之間的時間。
參考：4. cmos反相器的功耗主要包括哪幾部分？分別與哪些因素相關？
cmos反相器的全部功耗為動態功耗pd和靜態功耗ps之和。
動態功耗由兩部分組成，一部分是對負載電容充、放電所消耗的功率pc，另一部分是由於兩個mos管在短時間內同時導通所消耗的瞬時導通功耗pt。
5. 什麼是latch-up(閂鎖效應)？
閂鎖效應是cmos工藝所特有的寄生效應，嚴重會導致電路的失效，甚至燒毀晶元。閂鎖效應是由nmos的有源區、p襯底、n阱、pmos的有源區構成的n-p-n-p結構產生的，當其中乙個三極體正偏時，就會構成正反饋形成閂鎖。避免閂鎖的方法就是要減小襯底和n阱的寄生電阻，使寄生的三極體不會處於正偏狀態。 靜電是一種看不見的破壞力，會對電子元器件產生影響。esd 和相關的電壓瞬變都會引起閂鎖效應（latch-up），是半導體器件失效的主要原因之一。如果有乙個強電場施加在器件結構中的氧化物薄膜上，則該氧化物薄膜就會因介質擊穿而損壞。很細的金屬化跡線會由於大電流而損壞，並會由於浪湧電流造成的過熱而形成開路。這就是所謂的「閂鎖效應」。在閂鎖情況下，器件在電源與地之間形成短路，造成大電流、eos（電過載）和器件損壞。
6. 相同面積的cmos與非門和或非門哪個更快？
電子遷移率是空穴的2.5倍（在矽基cmos工藝中），運算就是用這些大大小小的mos管驅動後一級的負載電容，翻轉速度和負載大小一級前級驅動能力相關。為了上公升延遲和下降延遲相同，pmos需要做成nmos兩倍多大小。
載流子的遷移率，對pmos而言，載流子是空穴；對nmos而言，載流子是電子。
pmos採用空穴導電，nmos採用電子導電，由於pmos的載流子的遷移率比nmos的遷移率小，所以，同樣尺寸條件下，pmos的充電時間要大於nmos的充電時間長，在互補cmos電路中，與非門是pmos管併聯，nmos管串聯，而或非門正好相反，所以，同樣尺寸條件下，與非門的速度快，所以，在互補cmos電路中，優先選擇與非門。
參考：
C語言基礎訓練 02
假設a 10，b 20，借助於中間變數c，先將a的值賦給c，再將b的值賦給a，最後將c的值賦給b，完成交換。include includeint main 假設a 10，b 20，此處用了兩種解法 解法1 先將a b的值賦給a，此時a 30 將a b的值賦給b，此時b 10 再將a b的值賦給a，此...
2021新生訓練題解02
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