下圖自s3c2440
圖1 cle/ale時序圖
圖2 nwe和nre時序圖
從s3c2440手冊中我們可以得到（由圖1可知）：
tacls為cle/ale有效到nwe有效之間的持續時間；
twrph0為nwe的有效持續時間；
twrph1為nwe無效到cle/ale無效之間的持續時間。
這些時間都是以hclk為單位的。
通過查閱nandflash(如k9f2g08u0a）的資料手冊，我們可以找到並計算與s3c2440相對應的時序：k9f2g08u0a中的twp與twrph0相對應，tclh與twrph1相對應， tacls不一定與tcls相對應，還有可能與tcls-twp相對應(跟具體的nandflash有關，不同的資料手冊有時候會看到不同的時序圖）。k9f2g08u0a給出的都是最小時間， 2440只要滿足它的最小時間即可。tacls、twrph0、twrph1這三個變數取值大一些會更保險
之前一直搞不明白tacls的設定，主要是因為沒有認識到對於不同的flash晶元，他們的時序圖有可能是有區別的，由此就導致了以下兩種可能情況：
1、tacls =tcls-twp
2、tacls=tcls
我們要結合s3c2440晶元手冊和k9f2g08ua晶元手冊來確定tacls到底是上述情況的哪一種
觀察以下三個圖就可以體會到對於不同的nandflash晶元，可以得到與s3c2440中tacls不同的對應關係
s3c2440晶元手冊中：
未命名3.jpg(41.22 k)
2012-8-14 12:57:42
k9f2g08中
未命名2.jpg(71.04 k)
2012-8-14 12:57:42
k9f1208中
未命名1.jpg(75.97 k)
2012-8-14 12:57:42
NANDFLASH 中的Bad Block管理
1.skip block method 跳過壞塊方式 這種方法通俗易懂。這個演算法開始之前先讀取儲存器內的所有備用區域。那些被標 識成 bad block 的位址都被收集起來。接下來,資料被連續的寫入目標 flash 器件。當 目標位址與先前收集的 bad block 位址一致時,跳過壞塊,資料被寫...
WinCE中nandflash驅動開發介紹
這裡介紹nandflash驅動，在wince中，有專門針對flash儲存裝置驅動的支援，一般傳統採用fal fmd的架構。在wince最新的版本中，也就是windows ce6.0 r2中，還支援mdd pdd的架構。在fal fmd架構中，fal層由微軟來實現，我們需要實現fmd層的相關介面函式。...
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