//儲存器種類
計算機用儲存器來儲存資料和**兩部分內容。
要根據儲器掉電後儲存的內容是否丟失，分成「易失性儲存器」和「非易失性儲存器」兩大類。
一般的易失性儲存器儲存速度快如記憶體，非易失性儲存器能長期儲存資料如硬碟。
ram儲存器
1、命名：
ram=random access memory，翻譯為隨機訪問儲存器。歷史原因和磁鼓儲存器的順序讀寫有關，現在代指易失性半導體儲存器。
2、分類：
根據儲存機制，分為dram動態隨機儲存器和sram靜態隨機儲存器。
3、dram==dynamic ram;
儲存單元以電容電荷來表示資料， 電容有電代表1，否則為0。時間長了有電的電容會放電，無電的電容會吸收電，因此需要定期重新整理，這就是dynamic表示的特性。分類：
[1]sdram==synchronous dram
根據通訊方式不通過，分成同步dram和非同步dram兩種，這兩種方式根據通訊時是否需要時鐘來區分。利用時鐘進行同步通訊的時序，上公升沿表示有效資料：
sdram=用時鐘同步的通訊方式速度更快，使用更廣泛。
[2]ddr sdram==double data rate sdram
sdram只在上公升沿表示有效資料，乙個時鐘週期內只能表示乙個資料；而ddr sdram在時鐘的上公升沿和下降沿各表示乙個資料，乙個時鐘週期內能表示2個資料，同頻率下提公升一倍速度。
ddrii和ddriii ，通訊方式並沒有區別，主要是通訊同步時鐘的頻率提高了。
4、sram
static ram; 儲存單元以鎖存器來儲存資料，這種電路結構不需要定期重新整理充電，所以相對成為static。也有同步ssram和非同步sram。
5、dram和sram的應用場合
sram一般只用於cpu內部的高速緩衝cache，而外部擴充套件的記憶體使用sdram。
@在 stm32 系統的控制器中，只有 stm32f429 型號或更高階的晶元才支援擴充套件 sdram，其它型號如 stm32f1、 stm32f2 及 stm32f407 等型號只能擴充套件 sram。
///非易失性儲存器=rom
1、分類：半導體類 ：rom和flash； 非半導體類：光碟、軟盤、機械硬碟。
2、命名由來： rom=read only memory. 原意為 唯讀儲存器，現在代指 非易失性半導體儲存器，含flash。
3、rom分類：
[1]mask rom：掩膜半導體，內部資料在出廠時固化不能修改。
[2]otprom：one time programble rom ,一次可程式設計儲存器。出廠時內部空白，使用者只能一次性寫入。
[3]eprom： erasable programmable rom, 可重複擦寫儲存器。區別otprom進行改進，特點是使用紫外線找些晶元內部擦除資料，擦除和寫入都要用專用裝置。現在被eeprom淘汰替代了。
[4]eeprom：electrically erasable programmable rom,
主流rom，它能直接使用電路控制重複擦寫，而且按位元組為單位修改資料，不需要擦除整個晶元。
flash儲存器
1、命名：
又稱為快閃儲存器、flash rom。
2、分類：
根據儲存電路不同分為：nor flash和nand flash。
3、基本特性(nor和nand共有)
[1]可重複擦寫。
[2]寫入前必須有擦除動作。
[3]容量比eeprom大，以多個位元組為單位擦除。如有nand flash以4096位元組為扇區作為最小擦除單位。
[4]擦除次數有限，一般10萬次左右。接近壽命後導致寫操作失敗。nand flash整塊擦寫，有一位失效會出現會壞塊，壽命小於nor。需要用探測/錯誤更正(edc/ecc)演算法保證資料正確性。
4、nor和nand差異：
@區分擦除和讀寫，兩個都是以扇區/塊為單位擦除，但nor可以基於位元組讀寫，但nand必須基於塊為單位讀寫。
兩者主要區別：是否支援xip
nor位址線和資料線分開，cpu可以按位元組讀寫資料，符合cpu的指令解碼要求。nor可以當做斷電後不丟失資料的ram，只是擦除單位不同和讀寫速度慢於ram。
nand位址線和資料線共用，只能按塊讀寫資料，不能直接返回指定位址的資料。**要先載入到ram，再由cpu執行。
nor和nand使用場合
nor一般應用在**儲存的場合，如嵌入式控制器內部的程式儲存空間；
nand多用在 多用於大資料量儲存，如nand,sd卡,u盤。
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