1、ram
random access memory，隨機訪問記憶體。這裡要注意，隨機不是指的是不確定的讀寫記憶體空間，而是指訪問任意乙個位元組位址空間的時間都是相同的。和隨機記憶體訪問相對應的就是順序訪問，典型的就是磁帶，從開頭到結尾，要想讀寫某乙個記憶體空間，只能從頭開始按順序讀取。
2、sram
static random access memory，靜態隨機訪問記憶體。儲存的原理主要在晶元內部使用電晶體（一般儲存乙個bit位需要4個電晶體）。
3、sdram
同步動態隨機訪問記憶體。儲存資料的原理主要是利用電容，這樣由於電容會漏電，要想儲存資料就需要不時重新整理。
4、sram和sdram區別
1）儲存原理
sram使用使用的是電晶體儲存bit位，sdram使用電容儲存
2）重新整理
sram使用電晶體儲存，不需要定時重新整理，但是sdram需要定時重新整理。
3）控制器
sram控制簡單，控制器也簡單，但是sdram相對來說就複雜了
4）容量
sdram使用電容儲存資料，而sram使用電晶體儲存，因此同樣的體積，sdram的容量要遠大於sram
5)應用
sram多應用於微控制器，sdram多應用於高效能裝置
5、ddr
一種主流記憶體規範，全稱是double data rate sdram
6、ddr、ddr2、ddr3
ddr：雙倍資料速率
ddr2：ddr*2速率
ddr3：ddr2*2速率
DDR基礎知識
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DDR學習（1）基礎知識
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