按照不同容量
儲存器組織成32個 1k位元組/頁（小容量）
儲存器組織成128個 1k位元組/頁（中容量）
儲存器組織成256個 2k位元組/頁（大容量）
對於主儲存器和資訊塊的寫入由快閃儲存器程式設計/擦除控制器fpec管理，程式設計與擦除的高電壓由內部產生
內建快閃儲存器模組可以通過位址空間直接定址，在任何32位資料的讀操作都能訪問快閃儲存器模組的內容並得到相應的資料
例如，我們要從位址addr，讀取乙個半字（半字為16位，字為32位），可以通過如下的語句讀取
data = *(vu16 *)addr;stm32的快閃儲存器程式設計是由fpec（快閃儲存器程式設計和擦除控制器）模組處理，這個模組包含7個32位的暫存器
fpec鍵暫存器flash_keyr
選擇位元組鍵暫存器 flash_optkeyr
快閃儲存器控制暫存器 flash_cr
快閃儲存器狀態暫存器 flash_sr
快閃儲存器位址暫存器 flash_ar
選擇位元組暫存器 flash_obr
寫保護暫存器 flash_wrpr
其中fpec共有三個鍵值：
rdprt鍵 = 0x000000a5
key1=0x45671234
key2=0xcdef89ab
擦除操作分為頁擦除和全片擦除
頁擦除：
①、檢查flash_cr的lock是否解鎖，如果沒有則先解鎖
②、檢查flash_sr暫存器的bsy位，以確認沒有其他正在進行的程式設計操作
③、設定flash_cr暫存器的per位為1（指定頁擦除）
④、用flash_ar暫存器選擇要擦除的頁
⑤、設定flash_cr暫存器的strt位為1（開啟頁擦除）
⑥、等待bsy位變為1（等待擦除完畢）
⑦、讀取被擦除的頁並做驗證
全片擦除：
①、檢查flash_cr的lock是否解鎖，如果沒有則先解鎖
②、檢查flash_sr暫存器的bsy位，以確認沒有其他正在進行的程式設計操作
③、設定flash_cr暫存器的mer位為1（指定全片擦除）
④、設定flash_cr暫存器的strt位為1（開啟頁擦除）
⑤、等待bsy位變為1（等待擦除完畢）
⑥、讀取被擦除的頁並做驗證
1、stm32復位後，fpec模組是寫保護的，不能寫入flash_cr暫存器，通過寫入特定的序列到flash_keyr暫存器可以開啟fpec模組（即key1和key2），只有在寫保護接觸後，我們才能操作相關暫存器
2、stm32快閃儲存器程式設計每次必須寫入16為，不能單純寫入8位的資料，當flash_cr暫存器的pg位為1時，在乙個快閃儲存器位址寫入乙個半字將啟動一次程式設計
3、在程式設計過程中flash_sr的bsy位為1，任何讀寫快閃儲存器的操作都會使cpu暫停，直到此次的快閃儲存器程式設計結束
4、stm32的falsh程式設計，也必須要求其寫入位址的flash是被擦除的也就是其值為0xfffffff，否則無法寫入
①、檢查flash_cr的lock是否解鎖，如果沒有則先解鎖
②、檢查flash_sr暫存器的bsy位，以確認沒有其他正在進行的程式設計操作
③、設定flash_cr暫存器的pg位為1，在指定的位址寫入程式設計的半字
④、等待bsy位變為0
⑤、讀出寫入的位址並驗證資料
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