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上期答案揭曉：
答案上圖 c ,下圖 a
小夥伴們答對了嗎？
ytdfwangwei ：我的笨辦法：source，源的意思，就是提供電流。所以，只要是電流流出，就是source。不知道是否正確？
完全正確。
sink 和 source 是在電路中經常出現的兩個詞。 source = 源，比如電源，源總是提供能量的，中文教科書中稱電流流出為拉電流，拉總是拉出，沒有拉進的。也就是流出。 sink = 英文中叫水槽，槽裡面的水總歸是灌進去的，沒有說灌出來的，也就是流進。 這兩個概念是常用的，需正確理解。
繼續boost，boost在英文裡是提高的意思，顧名思義，boost拓撲就是公升壓，boost電路的輸出一定是大於輸入的。照例我們先來認識一下boost拓撲結構。
不難發現，電感在三節點中位於輸入位置，這是判斷boost拓撲的簡單方法。我們看乙個實際例子，仍以mc34063為例，如圖，很容易識別出這是公升壓電路，即boost 拓撲。
先熟悉一下boost電路輸出電壓公式：ccm工作模式時，vout = vin/（1-d），d為占空比
boost的原理其實也不複雜，說原理少不了借助於波形圖，如圖：
1）mos管q1導通，電感一端被接地，輸入電壓對電感充電。 2）電感兩端 = 輸入電壓 3）電感電流線性上公升（電感電流不能突變） 4）mos管關斷，電感電壓反向（為何？） 5）電感通過二極體向負載供電 周而復始，boost原理也並不複雜。
其實 boost 拓撲是非常常見的，用得最多的地方可能就是pfc（功率因素矯正），比如以下摘自onsemi 的 datasheet的中的pfc電路。
以上兩例不難識別 boost 拓撲，其電感位置總是在三節點的輸入端。
再來看看輸出電壓公式：vout = vin/（1-d）
從公式中可以看出隨著占空比 d 的加大，1-d 趨近於 0，輸出電壓便越來越高，也就是 boost 了。
但 d 是否可以無限加大以至於接近1呢？
答案是否定的，由於mos管的非理想性、雜散電容的影響、及電感電容等各種損耗的關係，輸出電壓隨占空比的上公升到一定的值會**，最慘的情況會跌倒零。如圖所示。通常占空比做到0.5左右基本差不多了。到0.75已經是極限了。
再次認識 buck - boost，如圖，因為電感接地可知是 buck - boost。
buck - boost 的輸出如何既能高於輸入也能高於輸出而不要改變電路？當占空比大於50%時輸出高於輸入，占空比小於50%時，輸出低於輸入。 buck - boost 其實很少實際使用在這兩種狀態，通常要麼使用在buck狀態要門使用在boost狀態。buck - boost的最大貢獻其實是由此演變出flyback，俗稱反激，而flyback是最常用的的一種拓撲，一般估計電源中70%是flyback，因此掌握flyback是非常必要的。
buck - boost 怎麼會衍生出 flyback 的呢？
沒人知道吧？呵呵，很簡單的。 這是基本buck - boost
然後有人把電感 l 做雙線並繞，成了這樣，完全沒問題吧。
然後把兩組線圈分開也沒問題吧，成了這樣，看到沒有，原邊副邊是絕緣的。
這mos管放上面不太好控制啊，那就換個位置吧，同時把同名端換一下，於是成了這樣
以下幾個小問題估計99%網友不知道，先看這兩個： 1）兩個晶體三極體，乙個pnp乙個npn，兩個三極體的bvcbo（耐壓）相同，兩個三極體的hfe（放大倍數）相同，請問兩個三極體的bvceo是否一樣？如果不一樣，哪個耐壓高？ 2）晶體三極體的耐壓是否與hfe有關？如果有關則hfe大的耐壓高還是hfe低的耐壓高？
看這個問題： 假如晶體三極體的耐壓 bvceo=400v，如圖：
則這樣接法ce 間的耐壓大於400v嗎？
如果b和e之間加乙個電阻則ce間的耐壓大於400v嗎？
看這張圖，以上幾個問題一目了然。
以上兩個問題看下圖公式便知，bvcbo
和hfe一樣的時，npn的bvceo比pnp管高。另外，hfe越大耐壓越低。
認識一下標準的反激開關電源的基本組成，如圖所示：
與基本拓撲相比僅僅增加了rs、cs、d2，這三個元器件起鉗位作用，抑制由變壓器漏感產生的尖峰電壓，使mos管的漏極電壓vds控制在乙個合理的範圍內，不至於因漏感尖峰電壓造成mos管的擊穿。此電路加上電源、加上pwm訊號就可工作了。至於反激電源的設計計算已經有太多的帖子了，暫時不多討論了。
反激拓撲雖然廣泛使用，據稱開關電源中有70%是反激拓撲的開關電源，但反激拓撲也有其不足之處，反激不需要輸出電感，全靠輸出電容濾波，因此當輸出電流大於10a時，所使用的電容容量逐漸成為巨無霸了，並且功率大於100w以後很多元器件的電流電壓應力會越來越大，因此大功率大電流場合不得不捨棄反激，正所謂梁園雖好終非久留之地，選什麼拓撲好呢？
—— 「正激」粉墨登場。
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