中國儲存國家隊豪言 2020 年追上世界級大廠

2021-09-23 12:58:15 字數 793 閱讀 7512

中國半導體國家隊紫光集團與武漢新芯在日前合併,組成長江儲存全力發展儲存,其傾國家之力建設的國家儲存基地也於 2016 年底動工,中國儲存之路到底走到什麼境地?從前武漢新芯ceo、現任長江儲存ceo楊士寧參與技術論壇的言論,或能透露更多端倪。

中國半導體產業交流平台 ic 咖啡 14 日在中國上海舉辦了「匠心獨運、卓越創芯」技術峰會,前武漢新芯ceo、現任長江儲存ceo楊士寧以「發展儲存產業的戰略思考」為題進行演講,會中也透露了長江儲存的儲存發展策略,與目前技術進展。

武漢新芯原為中國選定的儲存發展主力廠商,當時武漢新芯以 nand flash 做切入,展開一連串布局,包含在 2015 年與現已併入賽普拉斯(cypress)的飛索半導體(spansion)技術合作,在武漢新芯與紫光合併組成長江儲存後,仍維持當時的發展策略,以 3d nand flash 做為策略發展重點。

對此,楊士寧指出,選擇 3d nand 為突破口是企業需求、外部機遇與市場動力的吻合。是技術問題,更是經濟問題。他進一步解釋道,dram 與 2d nand 都面臨競爭對手折舊後裝置的大量產能,而 3d nand flash 增量巨大,且為目前眾儲存廠商爭相競逐發展的新領域,擁有較佳的發展機會。

楊士寧透露,長江儲存 32 層 3d nand flash 發展順利,產品指標也良好,預計將在 2019 年實現產能滿載。甚至豪言,要在 2019 年與記憶體前幾大業者技術差距拉近至半代,並於 2020 年追上世界領先技術。

先前有傳聞,長江儲存預計在 2017 年發展出 32 層堆疊 3d nand flash 產品,對此長江儲存今 16 日特定發布訊息強調,公司從未發布過 32 層 3d nand 在今年量產的資訊。

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