三星、台積電 10 奈米技術量產，7 奈米製程戰火持續公升高！而且隨著關鍵的微影技術來到瓶頸，7 奈米製程技術也變成新一輪製程技術的關鍵之戰。
除了三星在去年年中傳出急購 euv 機台，力拼 2017 年底量產 7 奈米，台積電在上週 12 日法說會首度明確指出，在 7 奈米製程第二年，就會匯入 euv 減少光罩層數，至 5 奈米製程全面採用 euv。台積電總經理暨共同ceo劉德音曾透露，10 奈米與 7 奈米將有 95% 裝置是共用，也因此台積電先前表明，至 5 奈米才會正式轉進 euv，現在三星、台積電在 7 奈米將一前一後用上 euv，先進製程也正式宣告進入新一階段技術競賽。
隨著先進製程來到 10 奈米以下，製程微縮瓶頸一一浮現，尤其是製程中難度最高的微影技術，目前主流多採用 193 奈米浸潤式微影技術，但從 65 奈米製程到現在一路突破物理極限至目前 10 奈米，面臨的不只是物理上的瓶頸，愈來愈複雜的圖形造成**次數增加，光罩成本也跟著倍增。摩爾定律**不變，積體電路上可容納的電晶體數量每隔 18~24 個月會增加一倍的目標變得窒礙難行，極紫外光（euv）微影就被視為摩爾定律能持續往下走的關鍵。
euv 先前因光源強度與生產量未達經濟效益，遲遲未能量產。據目前 euv 裝置製造商艾司摩爾（asml）在去年 11 月 euvl workshops 透露的進度，euv 光源強度已能達到 125w，預計 2018 年能達到光源強度 250w，可支援每小時生產 125 片晶圓的量產目標。屆時三星與台積電正好走至 7 奈米製程。距離台積電 2020 年 5 奈米量產，euv 或許更能接近浸潤式微影裝置每小時能生產 200 片晶圓的生產效益。晶圓製造商先前已陸續安裝 euv 進行試產，三星在 2015 年 7 月即攜 ibm，利用 euv 打造 7 奈米晶元原型，2016 年中再有訊息指出，三星砸重金採購新的 nxe 3400 euv 機台，將於 7 奈米就匯入 euv 技術以力抗台積電等對手。而台積電先前即擁有兩台 nxe 3300 euv 裝置，據悉在今年第一季又再引進了兩台 nxe 3400，另外，有訊息指出，艾司摩爾大客戶在 7 奈米同樣有意匯入 euv。從艾司摩爾 18 日的最新資料，加上 2016 年第四季再獲得的 4 臺訂單，目前 euv 裝置累積訂單數量已達 18 臺。
而 euv 機台並不便宜，一台 euv 光刻機要價逾 1 億美元，是其他微影裝置金額的兩倍，這場製程競賽，比技術也比銀兩，競爭門檻跟著愈墊愈高。
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