首先，要明確的是，資料寫的過程包括
擦除，下圖為nand flash乙個block（128k+7k）的時間，若擦除時被打斷，資料會殘缺
寫入，下圖為nand flash寫入乙個page（2k+112byte）的時間，所以乙個block的寫入需要64 x 300us = 19.2ms 的時間，若寫入時被打斷，資料會殘缺
資料讀的過程時間不計，因為讀過程被打斷，並不會造成資料的損壞
綜上所述，對擦除，寫入的失敗都要進行處理（會造成資料損壞）
接下來，對桌球操作進行解釋，對於擦除和寫入的處理有兩種方式，先介紹
對於讀寫都放在乙個介面內
函式
首先，使用兩個塊作為桌球塊
關於寫操作：寫入資料時，先指向塊a，對其進行擦除並寫入的操作。其中，若擦除時斷電，或者寫入時斷電了，不做處理。若擦除和寫入都完成的話，將寫指標指向另乙個塊。
關於讀取：讀取時讀取不是寫指標所指的那塊，比如寫指標指向a，則讀取b
第一次上電初始化時，先對ab塊進行擦除
收到資料後，將資料寫入a塊（上電初始化時擦除了，所以現在不用擦），然後將寫指標指向b塊。（若此時要讀取資料的話，就讀取a塊，即不是寫指標指向的那塊）
再次收到資料，將資料寫入b塊，同理，上電初始化的時候擦除過了，所以現在不擦，然後將寫指標指向a塊（若此時要讀取資料的話，就讀取b塊，即不是寫指標指向的那塊）
現在假設兩塊都有資料，那麼接下來分析各種失敗的情況
4. 擦除時掉電，不做處理，因為還有另一塊做備份，上電時讀取另一塊資料就好
5. 寫入時掉電，不做處理，同上
6. 讀取時掉電，此時對資料不會有影響，不處理
函式
關於寫操作：假設資料已經寫入兩塊，現在寫入資料時，先指向塊a，將資料寫入塊a，然後擦除塊b，然後將寫指標指向塊b
關於讀取：讀取時讀取不是寫指標所指的那塊，比如寫指標指向a，則讀取b
現在假設兩塊都有資料，那麼接下來分析各種失敗的情況
寫入時掉電，不做處理，因為還有另一塊做備份，上電時讀取另一塊資料就好
擦除時掉電，不做處理，因為還有另一塊做備份，上電時讀取另一塊資料就好
讀取時掉電，此時對資料不會有影響，不處理
那麼以上兩種方式有何區別？
首先，不討論寫操作時掉電的情況，因為兩種方式，寫操作掉電的話，都只能讀取舊的備份資料。所以以下預設寫操作沒問題。
區別在擦除操作和寫操作的順序，
第一種方式，由於spi_flash的擦除時間偏長，所以掉電時很大概率落在擦除中，所以當進行寫入操作時，萬一掉電了，最新的資料沒有寫入到flash中，重新上電後讀取的是上次備份的資料
第二種方式，由於每次都是先寫入再擦除另一塊，所以寫入最新資料後，擦除的是備份的資料，當擦除備份資料掉電後，重新上電讀取的是最新的資料。
其他問題
讀取和寫入會衝突嗎？
就算使用free_rtos，要需要保證讀取 和 寫入不能被打斷，擦除和讀取同時只能有乙個在進行
若兩個塊讀取的資料都校驗失敗怎麼辦？
重新初始化，擦除兩個塊的資料
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