用理論告訴你 三極體和mos管的區別在哪
在電路設計當中假設我們想要對電流中止控制，那就少不了三極體的幫助。我們俗稱的三極體其全稱為半導體三極體，它的主要作用就是將微小的訊號中止放大。mos管與三極體有著許多相近的地方，這就使得一些新手不斷無法明白兩者之間的區別，本篇文章就將為大家引見三極體和mos管的一些不同。
關於三極體和mos管的區別，我們簡單總結了幾句話便當大家理解。
從性質上來說：三極體用電流控制，mos管屬於電壓控制。
從本錢上來說：三極體低價，mos管貴。
關於功耗問題：三極體損耗大。
驅動能力上的的不同：mos管常用於電源開關以及大電流地方開關電路。
理論上，就是三極體操作便當且價錢低廉，經常用於數位電路的開關控制當中。而mos管用於高頻高速電路，大電流場所，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的**。所以普通來說低本錢場所，普通應用的先思索用三極體，不行的話建議用mos管。
理論上說電流控制慢，電壓控制快這種理解是不對的。要真正理解得了解雙極電晶體和mos電晶體的工作方式才幹明白。三極體是靠載流子的運動來工作的，以npn管射極跟隨器為例，當基極加不加電壓時，基區和發射區組成的pn結為阻止多子(基區為空穴，發射區為電子)的擴散運動，在此pn結處會感應出由發射區指向基區的靜電場(即內建電場)，當基極外加正電壓的指向為基區指向發射區，當基極外加電壓產生的電場大於內建電場時，基區的載流子(電子)才有可能從基區流向發射區，此電壓的最小值即pn結的正導遊通電壓(工程上普通以為0.7v)。
但此時每個pn結的兩側都會有電荷存在，此時假設集電極-發射極加正電壓，在電場作用下，發射區的電子往基區運動(理論上都是電子的反方向運動)，由於基區寬度很小，電子很容易越過基區抵達集電區，並與此處的pn的空穴復合(靠近集電極)，為維持平衡，在正電場的作用下集電區的電子加速外集電極運動，而空穴則為pn結處運動，此過程類似乙個雪崩過程。
集電極的電子經過電源回到發射極，這就是電晶體的工作原理。三極體工作時，兩個pn結都會感應出電荷，當開關管處於導通狀態時，三極體處於飽和狀態，假設這時三極體截至，pn結感應的電荷要恢復到平衡狀態，這個過程需求時間。而mos與三極體工作方式不同，沒有這個恢復時間，因此可以用作高速開關管。
下面針對一些電路設計當中會呈現的情況，列出了幾種mos管和**管的選擇規律：
(1)mos管是電壓控制項，而**管是電流控制項。在只允許從訊號源取較少電流的情況下，應選用mos管;而在訊號電壓較低，又允許從訊號源取較多電流的條件下，應選用三極體。
(2)電力電子技術中提及的單極器件是指只靠一種載流子導電的器件，雙極器件是指靠兩種載流子導電的器件。mos管是應用一種多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而三極體是既有多數載流子，也應用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。
(3)有些mos管的源極和漏極可以互換運用，柵壓也可正可負，靈活性比三極體好。
(4)mos管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的製造工藝可以很便當地把很多mos管整合在一塊矽片上，因此mos管在大範圍積體電路中得到了普遍的應用。
(5)mos管具有較高輸入阻抗和低雜訊等優點，因而也被普遍應用於各種電子裝置中。特別用mos管做整個電子裝置的輸入級，可以獲得普通三極體很難抵達的效能。
(6)mos管分紅結型和絕緣柵型兩大類，其控制原理都是一樣的。
本篇文章與眾不同的是，並沒有用過多的篇幅對mos管和三極體在概念上的區別進行對比。而是從實踐出發，用實際發生的情況和現象來對兩者進行區分，比單純概念性上的講解更加容易理解並方便記憶
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