nand flash按照內部儲存資料單元的電壓的不同層次，也就是單個記憶體單元中，是儲存1位資料，還是多位資料，可以分為slc和mlc：
1. slc，single level cell:
單個儲存單元，只儲存一位資料，表示成1或0.
就是上面介紹的，對於資料的表示，單個儲存單元中內部所儲存電荷的電壓，和某個特定的閾值電壓vth，相比，如果大於此vth值，就是表示1，反之，小於vth，就表示0.
對於nand flash的資料的寫入1，就是控制external gate去充電，使得儲存的電荷夠多，超過閾值vth，就表示1了。而對於寫入0，就是將其放電，電荷減少到小於vth，就表示0了。
關於為何nand flash不能從0變成1，我的理解是，物理上來說，是可以實現每一位的，從0變成1的，但是實際上，對於實際的物理實現，出於效率的考慮，如果對於，每乙個儲存單元都能單獨控制，即，0變成1就是，對每乙個儲存單元單獨去充電，所需要的硬體實現就很複雜和昂貴，同時，所進行對塊擦除的操作，也就無法實現之前的，一閃而過的速度了，也就失去了flash的眾多特性了。
// 也就是放電的思路還是容易些。1->0
2. mlc，multi level cell：
與slc相對應，就是單個儲存單元，可以儲存多個位，比如2位，4位等。其實現機制，說起來比較簡單，就是，通過控制內部電荷的多少，分成多個閾值，通過控制裡面的電荷多少，而達到我們所需要的儲存成不同的資料。比如，假設輸入電壓是vin＝4v（實際沒有這樣的電壓，此處只是為了舉例方便），那麼，可以設計出2的2次方＝4個閾值，1/4的vin＝1v，2/4的vin＝2v，3/4的vin＝3v，vin＝4v，分別表示2位資料00，01，10，11，對於寫入資料，就是充電，通過控制內部的電荷的多少，對應表示不同的資料。
對於讀取，則是通過對應的內部的電流（與vth成反比），然後通過一系列解碼電路完成讀取，解析出所儲存的資料。這些具體的物理實現，都是有足夠精確的裝置和技術，才能實現精確的資料寫入和讀出的。
單個儲存單元可以儲存2位資料的，稱作2的2次方＝4 level cell，而不是2 level cell；
同理，對於新出的單個儲存單元可以儲存4位資料的，稱作2的4次方＝16 level cell。
SLC和MLC的區別
slc全稱是single level cell，即單層單元快閃儲存器，而mlc全稱則是multi level cell，即為多層單元快閃儲存器。它們之間的區別，在於slc每乙個單元，只能儲存一位資料，mlc每乙個單元可以儲存兩位資料，mcl的資料密度要比slc大一倍。1.mlc 可是slc的儲存空間...
NAND FLASH的MLC和SLC架構區別
目前業內最具爭議的話題莫過於nand快閃儲存器的兩大架構mlc和slc了，這兩種架構最大的區別是訪問技術不同，由此也帶來了製造成本 工藝要求 輔助電路 訪問次數上的迥異。從短期發展來看，slc架構在使用上優勢較為明顯，也因此成為了部分廠商炫耀產品的資本。然而mlc架構具有成本低廉 單片容量較slc成...
Nandflash之MLC和SLC的區別
許多人對快閃儲存器的slc和mlc區分不清。就拿目前熱銷的 隨身聽來說，是買slc還是mlc快閃儲存器晶元的呢？在這裡先告訴大家，如果你對容量要求不高，但是對機器質量 資料的安全性 機器壽命等方面要求較高，那麼slc快閃儲存器晶元的首選。但是大容量的slc快閃儲存器晶元成本要比mlc快閃儲存器晶元高...